Aleksei Gavrilov

https://www.etis.ee/CV/Aleksei_Gavrilov/est
20.03.1944
6203007
aleksei.gavrilov@taltech.ee

Teenistuskäik

Töökohad ja ametid
01.01.2017–...   
Tallinna Tehnikaülikool, Loodusteaduskond, Küberneetika instituut, insener (0,45)
01.01.2017–...   
Tallinna Tehnikaülikool, Loodusteaduskond, Küberneetika instituut, Emeriitdotsent
01.09.2015–31.12.2016   
Tallinna Tehnikaülikool, Matemaatika-loodusteaduskond, Füüsikainstituut, insener (0,50)
01.09.2015–31.12.2016   
Tallinna Tehnikaülikool, Matemaatika-loodusteaduskond, Füüsikainstituut, Emeriitdotsent
2005–31.08.2015   
Tallinna Tehnikaülikool, Matemaatika-loodusteaduskond, Füüsikainstituut, Rakendusfüüsika õppetool, Dotsent (1,00)
1982–2005   
Tallinna Tehnikaülikool, Matemaatika-loodusteaduskond, Füüsikainstituut, Rakendusfüüsika õppetool, Dotsent (1,00)
1978–1982   
Tallinna Tehnikaülikool, Matemaatika-loodusteaduskond, Füüsikainstituut, Rakendusfüüsika õppetool, Vanemõpetaja (1,00)
1977–1978   
Tallinna Tehnikaülikool, Matemaatika-loodusteaduskond, Füüsikainstituut, Rakendusfüüsika õppetool, Vanemteadur (1,00)
1976–1977   
Tallinna Tehnikaülikool, Matemaatika-loodusteaduskond, Füüsikainstituut, Rakendusfüüsika õppetool, Assistent (1,00)
 
 
Haridustee
01.01.1976–...   
Töö õppejõuna Tallinna Tehnika ülikoolis
01.09.1972–01.09.1975   
Aspirantuur Pooljuhtide Füüsika Instituudis (NSVL TA Siberi osakond, Novosibirsk)
01.10.1970–01.08.1972   
Tartu Riiklik Ülikool, stazöör
01.06.1968–20.06.1970   
Tartu Riiklik Ülikool, Füüsika, Elektroonika
01.09.1961–20.09.1964   
Tartu Riiklik Ülikool, Füüsika
01.09.1951–20.06.1961   
Tallinna keskkool No 19
 
 
Teadusorganisatsiooniline ja -administratiivne tegevus
2009−...   
Tallinna Tehnikaülikooli füüsikainstituudi nõukogu liige
2007−2008   
Füüsika Instituudi nõukogu liige
1978−1990   
Teaduste lepingute vastutav täitja ( lepingud Moskva ja Novosibirski teadus instituutidega ja Tallinna elektrotehnilise tehasega)
 
 
Loometöö
2004–2019 Loengute ja praktikumi läbiviimine alal "Pooljuhtmaterjalide elektriliste parameetride mõõtmine".
Teaduslik töö pooljuhtide füüsika alal.
Üldfüüska loengute pidamine. Üldfüüsika harjutuste läbiviimine.
Mõõteriistate pooljuhtpraktikumi jaoks konstrueerimine ja valmistamine.Õpiku ja metoodilise juhendi selle praktikumi jaoks kirjutamine.
Üldfüüsika õpikute kirjutamine.
Teadusartiklite kirjutamine..
 
 
Teenistuskäigu lisainfo
09.1964 kuni 11.1967 a. teenistus sõdurina NSVL armees.;

Kvalifikatsioon

Teaduskraadid
Aleksei Gavrilov, doktorikraad, 1977, (juh) G. Katchurin, Электрофизические свойства полупроводниковых структур полученных ионным легированием арсенида галлия, Polljuhtide Füüsika Instituut.
 
 
Teaduspreemiad ja tunnustused
2011, Aleksei Gavrilov, TTÜ matemaatika-loodus teaduskonna parim õppejõud
2001, Aleksei Gavrilov, TTÜ kuldmärk
1982, Aleksei Gavrilov, Dotsendi kutse (VAK Moskva)
 
 
Teadustöö põhisuunad
VALDKOND: 4. Loodusteadused ja tehnika; 4.10. Füüsika; PÕHISUUND: Pooljuht füüsika

Juhendamisel väitekirjad

Juhendatud väitekirjad

Publikatsioonid

Klass
Aasta
Publikatsioon
 
1.2.
2019
Gavrilov, A. (2019). Demonstration of the Lorenz Force in the Study of Physics. American Journal of Engineering research, 8 (1), 15−19.
1.2.
2019
Gavrilov, A. (2019). Demonstration of the Lorenz Force Using a Spark Gas Discharge. Journal of Multidisciplinary Engineering Science Studies (JMESS), 5 (3), 2545−2547.
1.2.
2018
Gavrilov, A. (2018). Demonstration of Lissajous Figures in the Study of Physics. International Journal of Engineering Science Invention, 7 (2), 55−57.
1.3.
2018
Gavrilov, A. (2018). Приставка для увеличения входного сопротивления мультиметра. Радио, 3, 27.
1.2.
2017
Gavrilov, A. (2017). Demonstration of acoustic beats in the study of physics. Journal of Multidisciplinary Engineering Science and Technology, , 4 (6), 7545−7546.
1.2.
2016
Gavrilov, A. (2016). Registration and Measurement low Alternating Voltages. Journal of Multidisciplinary Engineering Science and Technology, 3 (4), 4543−4544.
1.3.
2016
Гаврилов, А. (2016). Подвесной лодочный мотор с питанием от литиевого аккумулятора. Радио, 10, 44−46.
6.6.
2016
Gavrilov, A. (2016). Elektriline paadi päramootor liitiumaku toitega. Kalastaja, 81, 76−79.
6.6.
2016
Гаврилов, А. (2016). Индикатор неисправности ламп ближнего света в автомобиле. Радиолюбитель , 10, 11.
1.1.
2015
Graf, A.; Maticiuc, N.; Spalatu, N.; Mikli, V.; Mere, A.; Gavrilov, A.; Hiie, J. (2015). Electrical characterization of annealed chemical-bath-deposited CdS films and their application in superstrate configuration CdTe/CdS solar cells. Thin Solid Films, 582, 351−355.10.1016/j.tsf.2014.11.003.
1.2.
2015
Graf, A.; Gavrilov, A.; Suurvarik, P. (2015). Measurement of the lifetime of nonequilibrium charge carriers in silicon using photoelectric methods. International Journal of Engineering and Applied Sciences (EAAS), 6 (3), 26−31.
5.2.
2014
Graf, A.; Maticiuc, N.; Gavrilov, A.; Hiie, J. (2014). Electrical characterization of CdS films, annealed in reducing, neutral and oxidizing ambients of H2, N2, and air. EMRS-2014 Spring Meeting, Lilli, France - May 26-30, Program and Book of Abstracts, Symp. A - Thin film chalcogenide photovoltaic materials: EMRS-2014 Spring Meeting, Lilli, France - May 26-30. _EditorsAbbr European Materials Research Society. EMRS, A-25.
1.1.
2013
Maticiuc, N.; Hiie, J.; Raadik, T.; Graf, A.; Gavrilov, A. (2013). The role of Cl in the chemical bath on the properties of CdS thin films. Thin Solid Films, 535, 184−187.10.1016/j.tsf.2012.11.107.
1.3.
2012
Gavrilov, A. (2012). Generator impulsov. Radio, 7, 51−52.
3.1.
2011
Maticiuc, N.; Hiie, J.; Potlog, T.; Valdna, V.; Gavrilov, A. (2011). Influence of Annealing in H2 Atmosphere on the Electrical Properties of Thin Film CdS. MRS Proceedings "Compound Semiconductors for Energy Applications and Environmental Sustainability", 1324: MRS Spring Meeting, San Francisco, California, 2011, April,. _EditorsAbbr D. Bell. Materials Research Society, 506 Keystone Drive, Warrendale, PA 15086-7537.: Materials Research Society, d14-05 .10.1557/opl.2011.963.
6.2.
2011
Gavrilov, A. (2011). Pooljuhtmaterjalide elektriliste parameetrite mõõtmine. Tallinn: Tallinna Tehnikaülikooli Kirjastus.
1.3.
2010
Maticiuc, N.; Potlog, T.; Hiie, J.; Mikli, V.; Poldme, N.; Raadik, T.; Valdna, V.; Mere, A.; Gavrilov, A.; Quinci, F.; Lughi, V.; Sergo, V. (2010). Structural changes in chemically deposited CdS: effect of thermal annealing. Moldavian Journal of the Physical Sciences, 9, 275−279.
1.3.
2010
Gavrilov, A. (2010). Raadio pelengaator. Радио, 5, 56.
5.2.
2010
Põldme, N.; Hiie, J.; Mikli, V.; Raadik, T.; Valdna, V.; Mere, A.; Gavrilov, A.; Maticiuc, N.; Potlog, T.; Quinci, F.; Lughi, V.; Sergo, V. (2010). Keemiliselt sadestatud kaadmiumsulfiidi kilede lõõmutamisel toimuvad struktuursed muutused. Abstracts of Scientific Conference: XXXI Eesti Keemiapäevad, Tallinn, 28.04.2010. Eesti Keemia Selts, 65.
6.2.
2010
Гаврилов, A. (2010). Курс общей физики. II том (Üldfüüsika kursus II, The course of general physics vol II). Nelli Print.
1.3.
2009
Гаврилов, A. (2009). Радиомаяк (The CW transmitter). Радио, 10, 55−57.
1.1.
2008
Hiie, J.; Muska, K.; Valdna, V.; Mikli, V.; Taklaja, A.; Gavrilov, A. (2008). Thermal annealing effect on structural and electrical properties of chemical bath deposited CdS films. Thin Solid Films, 516 (20), 7008−7012.10.1016/j.tsf.2007.12.008.
6.2.
2008
Гаврилов, A. (2008). Сборник задач по физике (Füüsika ülesanded, The physics exercises). Nelli Print.
6.2.
2008
Гаврилов, A (2008). Курс общей физики. I том (Üldfüüsika kursus I, The course of general physics I vol). Nelli Print.
1.2.
2007
Гаврилов, А. (2007). Источник стабилизмрованного переменног тока для эффекта Холла в полупроводниках (The source of stabilized alternating current for measurement of Hall effect). Приборы и техника эксперимента, 1, 157−158.
6.2.
2005
Gavrilov, Aleksei; Ruus, Tõnu (2005). Pooljuhtmaterjalide põhiparameetrite mõõtmine. Tallinn: TTÜ kirjastus.
1.2.
2004
Gavrilov, A.; Teresk, A. (2004). Infrared locator for orientation of the blind. Electronics world, 110 (1819), 48.
1.2.
2004
Гаврилов, А. (2004). Источник стабилизированного тока для анодного окисления полупроводников. Приборы и техника эксперимента, 1, 160−161.
1.3.
2003
Teresk, A.; Gavrilov, A. (2003). Прибор для ориентации слепых. Радио, 11, 40−41.
3.1.
2001
Valdna, V.; Hiie, J.; Gavrilov, A (2001). Defects in chlorine-doped cdte thin films. In: O. Bonnaud, T. Mohammed-Brahim, H.P. Strunk and J.H. Werner (_EditorsAbbr). Polycrystalline Semiconductors VI: Materials, Technologies and Large Area Electronics (155−160).. Trans Tech Publications Ltd. (Solid State Phenomena; 80-81).
1.1.
1995
Gavrilov, A.A.; Klopov, M.V. (1995). Thermal probe for determining semiconductor majority carriers. Instruments and Experimental Techniques, 38 (3), 421−422.
1.2.
1995
Gavrilov, A. ; Klopov, M. (1995). Termozond dlja opredelenija tipa provodimosti primesnõh poluprovodnikov. Pribory i Tekhnika Eksperimenta, 3, 199 −200.
3.2.
1990
Гаврилов, A. (1990). Применение анодного окисления при исследовании электрофизических характеристик полупроводниковых структур "кремний на изоляторе". Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов (53−59).. Tallinna Polütehniline Instituut. (Tallinna Tehnikaülikooli toimetised; 707).
3.2.
1988
Гаврилов, A. ; Кошелеп, A. (1988). Источник стабилизированного тока для многократного анодного окисления полупроводников. Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов (94−99).. Tallinn: Tallinna Polütehniline Instituut. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised; 659).
3.2.
1987
Гаврилов, A. (1987). Установка для записи вольтамперных и вольтфарадых характеристик Р-П-переходов. Физическая химия соединений А(II)B(VI) (49−54).. Tallinn: Tallinna Polütehniline Instituut. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised; 652).
6.2.
1987
Bender, V. ; Gavrilov, A. ; Reiter, E. ; Ruus, T. ; Uder, Ü. (1987). Füüsika praktikumi metoodiline juhend 1. Tallinn: Tallinna Polütehniline Instituut.
3.2.
1986
Гаврилов, A. (1986). Установка для многократного анодного окисления полупродников. Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов (73−78).. Tallinn: Tallinna Polütehniline Instituut. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised; 620).
3.2.
1983
Гаврилов, A. ; Качурин, G. (1983). Импульсно-глазменный отжиг слоев кремения, имплантированных. Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов (3−13).. Tallinn: Tallinna Polütehniline Instituut. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised ; 545).
3.2.
1983
Гаврилов, A.; Качурин, G. (1983). Импульсно-плазменное легирование кремных сурьмой. Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов (15−28).. Tallinn: Tallinna Polütehniline Instituut. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised ; 545).
1.1.
1982
Gavrilov, A. ; Kachurin, G. (1982). Pulsed doping of Silicon in a high-current gas discharge. Soviet Technical Physics Letters, 8 (7), 388−391.
1.1.
1981
Gavrilov, A.A.; Kachurin, G.A. (1981). Annealing of implanted layers of silicon in the plasma of the pulsed gas discharge. Soviet physics: Semiconductors, 15 (6), 712−713.
1.2.
1981
Gavrilov, A.; Kachurin, G. (1981). Otzig implantirovannih sloev kremnija v plasme impulsnogo gasovogo rasrjada. Fizika i tehnika poluprovodnikov, 15 (6), 1236−1238.
3.2.
1981
Гаврилов, А.А.; Данилов, Ю.В.; Качурин, Г.А.; Мере, А.Л. (1981). К выьору конструкции фоточувствительных Р-П переходов на антимонида индия. Физическая химия соединений A(II)B(VI) (105−112).. Таллин: Таллинский политехнический институт. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised = Труды Таллинского политехнического института ; 515. Полупроводниковые материалы; 4 ).
1.2.
1980
Gavrilov, A. ; Danilov, J. ; Kachurin, G. ; Mere, A. (1980). Formirovanie p-sloev pri vnedrenii ionov magnija v InSb. Elektronnaja tehnika, 2(137), 108−112.
1.1.
1978
Bogatyrev, V.A.; Gavrilov, A.A.; Kachurin, G.A.; Pusep, Yu.A.; Smirnov, L.S. (1978). Electrical and photoelectric properties of p-n junctions in InSb formed by implantation of zinc followed by diffusion spreading. Soviet physics: Semiconductors, 12 (11), 1256−1258.
1.2.
1978
Bogatõrjov, V. ; Gavrilov, A. ; Kachurin, G. ; Pusep, J. ; Smirnov, L. (1978). Elektricheskie i fotoelektricheskie svoistva p-n perehodov na antimonide indija, poluchennie vnedreniem ionov tsinka s posledujuchei diffusionnoi razgonkoi. Fizika i tehnika poluprovodnikov, 12 (11), 2106−2109.
1.2.
1977
Gavrilov, A. ; Kachurin, G. (1977). Sverhrezkie varikapõ na epitaksialnõh plenkah arsenida gallija, poluchennõe s pomochju ionnogo vnedrenija. Elektronnaja tehnika, 99−103.
1.1.
1976
Gavrilov, A.A.; Kachurin, G.A.; Safronov, L.N.; Smirnov, L.S. (1976). Photoluminescence investigation of the distribution of defects in gallium arsenide after ion bombardment. Soviet physics: Semiconductors, 10 (8), 847−848.
1.1.
1976
Bogatyrev, V.A.; Gavrilov, A.A.; Kachurin, G.A.; Smirnov, L.S. (1976). Implanted p-n junctions in GaAs formed using laser pulse heating. Soviet physics: Semiconductors, 10 (7), 826−827.
1.2.
1976
Gavrilov, A.; Kachurin, G.; Bogomjakov, N.; Kovaljov, I.; Petrova, S. (1976). Svetoizluchajuchie p-n perehodõ, poluchennie vnedreniem ionov kadmija v arsenid gallija. Mikroelektronika, 5 (2), 192−193.
1.2.
1976
Bogatõrjov, V. ; Gavrilov, A. ; Zelevinskaja, V. ; Kachurin, G. ; Smirnov, L. (1976). Svoistva p-n perehodov, poluchennih ionnõm vnedreniem tsinka v arsenid gallija. Elektronnaja tehnika, 41−46.
1.2.
1976
Bogatõrjov, V.; Gavrilov, A.; Kachurin, G.; Smirnov, L. (1976). Implantirovannõe p-n perehodõ v GaAs, poluchennie s primeneniem impulsnogo lasernogo otziga. Fizika i tehnika poluprovodnikov, 10 (7), 1392−1394.
1.2.
1976
Gavrilov, A.; Kachurin, G.; Safronov, L.; Smirnov, L. (1976). Issledovanie metodom fotoljuminestsentsii raspredelenija defektov v arsenide gallija posle ionnoi bombardirovki. Fizika i tehnika poluprovodnikov, 10 (8), 1425−1428.
3.3.
1976
Gavrilov, A. ; Kachurin, G. ; Pridatchin, N. ; Smirnov, L. (1976). Sposob sozdanija p-n perehodov v sloznõh poluprovodnikah: Avtorskoe svidetelstvo ot 15 nojabrja 1976 goda. .. Gosudarstvennõi reestr izobretenii SSSR.
1.1.
1975
Gavrilov, A.A.; Zelevinskaya, V.M.; Kachurin, G.A.; Pridachin, N.B.; Smirnov, L.S. (1975). Orientation effects in the implantation of Te ions in gallium arsenide at elevated temperatures. Soviet physics: Semiconductors, 9 (11), 1435−1436.
1.1.
1975
Gavrilov, A.A.; Kachurin, G.A.; Pridachin, N.B.; Smirnov, L.S. (1975). Diffusion of zinc and cadmium in gallium arsenide irradiated with arsenic ions. Soviet physics: Semiconductors, 8 (11), 1455−1456.
1.2.
1975
Gavrilov, A. ; Kachurin, G. ; Pridatchin, N. (1975). Võsokochuvstvitelnõe varikapõ s bolchim perekrõtiem po emkosti, poluchennõe vnedreniem ionov tellura v arsenid gallija. Mikroelektronika, 4 (5), 460−462.
1.2.
1975
Gavrilov, A. ; Zelevinskaja, V. ; Kachurin, G. ; Pridatchin, N. ; Smirnov, L. (1975). Orientatsionnõe effektõ pri vnedrenii ionov Te v arsenid gallija pri povõchennoi temperature. Fizika i tehnika poluprovodnikov, 9 (11), 2207−2209.
1.3.
1975
Gavrilov, A. ; Kachurin, G. ; Smirnov, L. (1975). Solnechnõe elementõ iz arsenida gallija, poluchennõe ionnoi bombardirovkoi. Geliotehnika, 6, 20−23.
3.4.
1975
Gavrilov, A.; Zelevinskaja, V.; Kachurin, G.; Pridatchin, N.; Smirnov, L. (1975). Vlijanie temperaturõ micheni na kanalirovanie i diffuziju ionov tellura v arsenid gallija. Trudõ II Mezdunarodnoi konferentsii po vnedreniju ionov v poluprovodniki: II Mezdunarodnaja konferentsija po vnedreniju ionov v pouprovodniki; Budapecht, 1975. 498−498.
1.2.
1974
Gavrilov, A. ; Kachurin, G. ; Pridatchin, N. ; Smirnov, L. (1974). O diffuzii tsinka i kadmija v arsenide gallija. Fizika i tehnika poluprovodnikov, 8 (11), 2236−2238.
1.2.
1974
Gavrilov, A. ; Kachurin, G. ; Pridatchin, N. (1974). Omicheskie kontaktõ k slabolegirovannomu p-GaAs, poluchennõe s pomochju ionnoi bombardirovki. Elektronnaja tehnika, 5, 83−84.
3.4.
1974
Gavrilov, A.; Kachurin, G.; Safronov, L. (1974). O glubokom proniknovenii defektov v arsenide gallija, obluchennom ionami argona. Arsenid gallija (99−101).. Tomsk (Venemaa): Tomsk State University.
5.2.
1974
Gavrilov, A.; Kachurin, G.; Smirnov, L.; Pridatchin, N. (1974). Elektricheskie i fotoelektricheskie svoistva p-n perehodov v arsenide gallija, poluchennih ionnõm vnedreniem. Proc. Intern. Conf. on Ion Implantation in Semiconductors, 2: Intern. Conf. on Ion Implantation in Semiconductors, Lublin, Poland, 1974. Poland, Lublin, 532 .
3.4.
1973
Gavrilov, A.; Zelevinskaja, V.; Kachurin, G.; Bogomjakov, N.; Azikov, B.; CHirokov, L. (1973). Vlijanie defektov na VAH p-n perehodov, poluchennõh vnedreniem ionov kadmija v arsenid gallija. Defektõ strukturõ v poluprovodnikah (288 −290).. Novosibirsk (Venemaa): Novosibirski Ülikool.
3.4.
1973
Gavrilov, A.; Zelevinskaja, V.; Kachurin, G.; Bogomjakov, N.; Kovaljov, I.; Petrova, S. (1973). Vlijanije temperaturõ otziga na izluchenie p-n perehodov, poluchennõh ionnõm vnedreniem kadmija v arsenid gallija. Defektõ strukturõ v poluprovodnikah (285−287).. Novosibirsk (Venemaa): Novosibirski Ülikool.
4.04.2019

Aleksei Gavrilov

https://www.etis.ee/CV/Aleksei_Gavrilov/eng
20.03.1944
6203007
aleksei.gavrilov@taltech.ee
http://

Career

Institution(s) and position(s)
01.01.2017–...   
Tallinn University of Technology , School of Science, Department of Cybernetics, Engineer (0,45)
01.01.2017–...   
Tallinn University of Technology , School of Science, Department of Cybernetics, Associate Professor emeritus
01.09.2015–31.12.2016   
Tallinn University of Technology , Faculty of Science, Department of Physics, Other staff (0,50)
01.09.2015–31.12.2016   
Tallinn University of Technology , Faculty of Science, Department of Physics, Associate Professor emeritus
2005–31.08.2015   
Tallinn University of Technology , Faculty of Science, Department of Physics, Chair of Applied Physics, Associate Professor (1,00)
1982–2005   
Tallinn University of Technology , Faculty of Science, Department of Physics, Chair of Applied Physics, Associate Professor (1,00)
1978–1982   
Tallinn University of Technology , Faculty of Science, Department of Physics, Chair of Applied Physics, Senior Teacher (1,00)
1977–1978   
Tallinn University of Technology , Faculty of Science, Department of Physics, Chair of Applied Physics, Senior Researcher (1,00)
1976–1977   
Tallinn University of Technology , Faculty of Science, Department of Physics, Chair of Applied Physics, Assistant (1,00)
 
 
Education
01.01.1976–...   
01.09.1972–01.09.1975   
Post.Degree Institute of the Physics of Semiconductors ( USSR, Academy of Science, Siberian Branch, Novosibirsk)
01.10.1970–01.08.1972   
Tartu State University, probationer
01.06.1968–20.06.1970   
Tartu State University, Physics, Elektronics
01.09.1961–20.09.1964   
Tartu State University, Physics
01.09.1951–20.06.1961   
Secondary School No 19 city of Tallinn
 
 
R&D related managerial and administrative work
2009−...   
2007−2008   
1978−1990   
Executive contractor of scientific contracts (contracts with scientific institutes of Moscow and Novosibirsk, as well as with the the electricfl engineering plant in Tallinn
 
 
Creative work
2004-2019 .
.
 
 
Additional career information
;

Qualifications

Academic degrees
Aleksei Gavrilov, Doctor's Degree, 1977, (sup) G. Katchurin, Электрофизические свойства полупроводниковых структур полученных ионным легированием арсенида галлия (The electrophysical properties of GaAs ion-implanted structures), Institute of semiconductor physics SB RAS.
 
 
Honours & awards
2011, Aleksei Gavrilov,
2001, Aleksei Gavrilov, Gold badge of the TTU
1982, Aleksei Gavrilov, Diploma of associate professor (VAK Moscow)
 
 
Field of research
FIELD OF RESEARCH: 4. Natural Sciences and Engineering; 4.10. Physics and Technical Physics; SPECIALITY: Semiconductros physics
 
 

Dissertations under supervision

Supervised dissertations

Publications

Category
Year
Publication
 
1.2.
2019
Gavrilov, A. (2019). Demonstration of the Lorenz Force in the Study of Physics. American Journal of Engineering research, 8 (1), 15−19.
1.2.
2019
Gavrilov, A. (2019). Demonstration of the Lorenz Force Using a Spark Gas Discharge. Journal of Multidisciplinary Engineering Science Studies (JMESS), 5 (3), 2545−2547.
1.2.
2018
Gavrilov, A. (2018). Demonstration of Lissajous Figures in the Study of Physics. International Journal of Engineering Science Invention, 7 (2), 55−57.
1.3.
2018
Gavrilov, A. (2018). Приставка для увеличения входного сопротивления мультиметра. Радио, 3, 27.
1.2.
2017
Gavrilov, A. (2017). Demonstration of acoustic beats in the study of physics. Journal of Multidisciplinary Engineering Science and Technology, , 4 (6), 7545−7546.
1.2.
2016
Gavrilov, A. (2016). Registration and Measurement low Alternating Voltages. Journal of Multidisciplinary Engineering Science and Technology, 3 (4), 4543−4544.
1.3.
2016
Гаврилов, А. (2016). Подвесной лодочный мотор с питанием от литиевого аккумулятора. Радио, 10, 44−46.
6.6.
2016
Gavrilov, A. (2016). Elektriline paadi päramootor liitiumaku toitega. Kalastaja, 81, 76−79.
6.6.
2016
Гаврилов, А. (2016). Индикатор неисправности ламп ближнего света в автомобиле. Радиолюбитель , 10, 11.
1.1.
2015
Graf, A.; Maticiuc, N.; Spalatu, N.; Mikli, V.; Mere, A.; Gavrilov, A.; Hiie, J. (2015). Electrical characterization of annealed chemical-bath-deposited CdS films and their application in superstrate configuration CdTe/CdS solar cells. Thin Solid Films, 582, 351−355.10.1016/j.tsf.2014.11.003.
1.2.
2015
Graf, A.; Gavrilov, A.; Suurvarik, P. (2015). Measurement of the lifetime of nonequilibrium charge carriers in silicon using photoelectric methods. International Journal of Engineering and Applied Sciences (EAAS), 6 (3), 26−31.
5.2.
2014
Graf, A.; Maticiuc, N.; Gavrilov, A.; Hiie, J. (2014). Electrical characterization of CdS films, annealed in reducing, neutral and oxidizing ambients of H2, N2, and air. EMRS-2014 Spring Meeting, Lilli, France - May 26-30, Program and Book of Abstracts, Symp. A - Thin film chalcogenide photovoltaic materials: EMRS-2014 Spring Meeting, Lilli, France - May 26-30. _EditorsAbbr European Materials Research Society. EMRS, A-25.
1.1.
2013
Maticiuc, N.; Hiie, J.; Raadik, T.; Graf, A.; Gavrilov, A. (2013). The role of Cl in the chemical bath on the properties of CdS thin films. Thin Solid Films, 535, 184−187.10.1016/j.tsf.2012.11.107.
1.3.
2012
Gavrilov, A. (2012). Generator impulsov. Radio, 7, 51−52.
3.1.
2011
Maticiuc, N.; Hiie, J.; Potlog, T.; Valdna, V.; Gavrilov, A. (2011). Influence of Annealing in H2 Atmosphere on the Electrical Properties of Thin Film CdS. MRS Proceedings "Compound Semiconductors for Energy Applications and Environmental Sustainability", 1324: MRS Spring Meeting, San Francisco, California, 2011, April,. _EditorsAbbr D. Bell. Materials Research Society, 506 Keystone Drive, Warrendale, PA 15086-7537.: Materials Research Society, d14-05 .10.1557/opl.2011.963.
6.2.
2011
Gavrilov, A. (2011). Pooljuhtmaterjalide elektriliste parameetrite mõõtmine. Tallinn: Tallinna Tehnikaülikooli Kirjastus.
1.3.
2010
Maticiuc, N.; Potlog, T.; Hiie, J.; Mikli, V.; Poldme, N.; Raadik, T.; Valdna, V.; Mere, A.; Gavrilov, A.; Quinci, F.; Lughi, V.; Sergo, V. (2010). Structural changes in chemically deposited CdS: effect of thermal annealing. Moldavian Journal of the Physical Sciences, 9, 275−279.
1.3.
2010
Gavrilov, A. (2010). Raadio pelengaator. Радио, 5, 56.
5.2.
2010
Põldme, N.; Hiie, J.; Mikli, V.; Raadik, T.; Valdna, V.; Mere, A.; Gavrilov, A.; Maticiuc, N.; Potlog, T.; Quinci, F.; Lughi, V.; Sergo, V. (2010). Keemiliselt sadestatud kaadmiumsulfiidi kilede lõõmutamisel toimuvad struktuursed muutused. Abstracts of Scientific Conference: XXXI Eesti Keemiapäevad, Tallinn, 28.04.2010. Eesti Keemia Selts, 65.
6.2.
2010
Гаврилов, A. (2010). Курс общей физики. II том (Üldfüüsika kursus II, The course of general physics vol II). Nelli Print.
1.3.
2009
Гаврилов, A. (2009). Радиомаяк (The CW transmitter). Радио, 10, 55−57.
1.1.
2008
Hiie, J.; Muska, K.; Valdna, V.; Mikli, V.; Taklaja, A.; Gavrilov, A. (2008). Thermal annealing effect on structural and electrical properties of chemical bath deposited CdS films. Thin Solid Films, 516 (20), 7008−7012.10.1016/j.tsf.2007.12.008.
6.2.
2008
Гаврилов, A. (2008). Сборник задач по физике (Füüsika ülesanded, The physics exercises). Nelli Print.
6.2.
2008
Гаврилов, A (2008). Курс общей физики. I том (Üldfüüsika kursus I, The course of general physics I vol). Nelli Print.
1.2.
2007
Гаврилов, А. (2007). Источник стабилизмрованного переменног тока для эффекта Холла в полупроводниках (The source of stabilized alternating current for measurement of Hall effect). Приборы и техника эксперимента, 1, 157−158.
6.2.
2005
Gavrilov, Aleksei; Ruus, Tõnu (2005). Pooljuhtmaterjalide põhiparameetrite mõõtmine. Tallinn: TTÜ kirjastus.
1.2.
2004
Gavrilov, A.; Teresk, A. (2004). Infrared locator for orientation of the blind. Electronics world, 110 (1819), 48.
1.2.
2004
Гаврилов, А. (2004). Источник стабилизированного тока для анодного окисления полупроводников. Приборы и техника эксперимента, 1, 160−161.
1.3.
2003
Teresk, A.; Gavrilov, A. (2003). Прибор для ориентации слепых. Радио, 11, 40−41.
3.1.
2001
Valdna, V.; Hiie, J.; Gavrilov, A (2001). Defects in chlorine-doped cdte thin films. In: O. Bonnaud, T. Mohammed-Brahim, H.P. Strunk and J.H. Werner (_EditorsAbbr). Polycrystalline Semiconductors VI: Materials, Technologies and Large Area Electronics (155−160).. Trans Tech Publications Ltd. (Solid State Phenomena; 80-81).
1.1.
1995
Gavrilov, A.A.; Klopov, M.V. (1995). Thermal probe for determining semiconductor majority carriers. Instruments and Experimental Techniques, 38 (3), 421−422.
1.2.
1995
Gavrilov, A. ; Klopov, M. (1995). Termozond dlja opredelenija tipa provodimosti primesnõh poluprovodnikov. Pribory i Tekhnika Eksperimenta, 3, 199 −200.
3.2.
1990
Гаврилов, A. (1990). Применение анодного окисления при исследовании электрофизических характеристик полупроводниковых структур "кремний на изоляторе". Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов (53−59).. Tallinna Polütehniline Instituut. (Tallinna Tehnikaülikooli toimetised; 707).
3.2.
1988
Гаврилов, A. ; Кошелеп, A. (1988). Источник стабилизированного тока для многократного анодного окисления полупроводников. Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов (94−99).. Tallinn: Tallinna Polütehniline Instituut. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised; 659).
3.2.
1987
Гаврилов, A. (1987). Установка для записи вольтамперных и вольтфарадых характеристик Р-П-переходов. Физическая химия соединений А(II)B(VI) (49−54).. Tallinn: Tallinna Polütehniline Instituut. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised; 652).
6.2.
1987
Bender, V. ; Gavrilov, A. ; Reiter, E. ; Ruus, T. ; Uder, Ü. (1987). Füüsika praktikumi metoodiline juhend 1. Tallinn: Tallinna Polütehniline Instituut.
3.2.
1986
Гаврилов, A. (1986). Установка для многократного анодного окисления полупродников. Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов (73−78).. Tallinn: Tallinna Polütehniline Instituut. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised; 620).
3.2.
1983
Гаврилов, A. ; Качурин, G. (1983). Импульсно-глазменный отжиг слоев кремения, имплантированных. Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов (3−13).. Tallinn: Tallinna Polütehniline Instituut. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised ; 545).
3.2.
1983
Гаврилов, A.; Качурин, G. (1983). Импульсно-плазменное легирование кремных сурьмой. Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов (15−28).. Tallinn: Tallinna Polütehniline Instituut. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised ; 545).
1.1.
1982
Gavrilov, A. ; Kachurin, G. (1982). Pulsed doping of Silicon in a high-current gas discharge. Soviet Technical Physics Letters, 8 (7), 388−391.
1.1.
1981
Gavrilov, A.A.; Kachurin, G.A. (1981). Annealing of implanted layers of silicon in the plasma of the pulsed gas discharge. Soviet physics: Semiconductors, 15 (6), 712−713.
1.2.
1981
Gavrilov, A.; Kachurin, G. (1981). Otzig implantirovannih sloev kremnija v plasme impulsnogo gasovogo rasrjada. Fizika i tehnika poluprovodnikov, 15 (6), 1236−1238.
3.2.
1981
Гаврилов, А.А.; Данилов, Ю.В.; Качурин, Г.А.; Мере, А.Л. (1981). К выьору конструкции фоточувствительных Р-П переходов на антимонида индия. Физическая химия соединений A(II)B(VI) (105−112).. Таллин: Таллинский политехнический институт. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised = Труды Таллинского политехнического института ; 515. Полупроводниковые материалы; 4 ).
1.2.
1980
Gavrilov, A. ; Danilov, J. ; Kachurin, G. ; Mere, A. (1980). Formirovanie p-sloev pri vnedrenii ionov magnija v InSb. Elektronnaja tehnika, 2(137), 108−112.
1.1.
1978
Bogatyrev, V.A.; Gavrilov, A.A.; Kachurin, G.A.; Pusep, Yu.A.; Smirnov, L.S. (1978). Electrical and photoelectric properties of p-n junctions in InSb formed by implantation of zinc followed by diffusion spreading. Soviet physics: Semiconductors, 12 (11), 1256−1258.
1.2.
1978
Bogatõrjov, V. ; Gavrilov, A. ; Kachurin, G. ; Pusep, J. ; Smirnov, L. (1978). Elektricheskie i fotoelektricheskie svoistva p-n perehodov na antimonide indija, poluchennie vnedreniem ionov tsinka s posledujuchei diffusionnoi razgonkoi. Fizika i tehnika poluprovodnikov, 12 (11), 2106−2109.
1.2.
1977
Gavrilov, A. ; Kachurin, G. (1977). Sverhrezkie varikapõ na epitaksialnõh plenkah arsenida gallija, poluchennõe s pomochju ionnogo vnedrenija. Elektronnaja tehnika, 99−103.
1.1.
1976
Gavrilov, A.A.; Kachurin, G.A.; Safronov, L.N.; Smirnov, L.S. (1976). Photoluminescence investigation of the distribution of defects in gallium arsenide after ion bombardment. Soviet physics: Semiconductors, 10 (8), 847−848.
1.1.
1976
Bogatyrev, V.A.; Gavrilov, A.A.; Kachurin, G.A.; Smirnov, L.S. (1976). Implanted p-n junctions in GaAs formed using laser pulse heating. Soviet physics: Semiconductors, 10 (7), 826−827.
1.2.
1976
Gavrilov, A.; Kachurin, G.; Bogomjakov, N.; Kovaljov, I.; Petrova, S. (1976). Svetoizluchajuchie p-n perehodõ, poluchennie vnedreniem ionov kadmija v arsenid gallija. Mikroelektronika, 5 (2), 192−193.
1.2.
1976
Bogatõrjov, V. ; Gavrilov, A. ; Zelevinskaja, V. ; Kachurin, G. ; Smirnov, L. (1976). Svoistva p-n perehodov, poluchennih ionnõm vnedreniem tsinka v arsenid gallija. Elektronnaja tehnika, 41−46.
1.2.
1976
Bogatõrjov, V.; Gavrilov, A.; Kachurin, G.; Smirnov, L. (1976). Implantirovannõe p-n perehodõ v GaAs, poluchennie s primeneniem impulsnogo lasernogo otziga. Fizika i tehnika poluprovodnikov, 10 (7), 1392−1394.
1.2.
1976
Gavrilov, A.; Kachurin, G.; Safronov, L.; Smirnov, L. (1976). Issledovanie metodom fotoljuminestsentsii raspredelenija defektov v arsenide gallija posle ionnoi bombardirovki. Fizika i tehnika poluprovodnikov, 10 (8), 1425−1428.
3.3.
1976
Gavrilov, A. ; Kachurin, G. ; Pridatchin, N. ; Smirnov, L. (1976). Sposob sozdanija p-n perehodov v sloznõh poluprovodnikah: Avtorskoe svidetelstvo ot 15 nojabrja 1976 goda. .. Gosudarstvennõi reestr izobretenii SSSR.
1.1.
1975
Gavrilov, A.A.; Zelevinskaya, V.M.; Kachurin, G.A.; Pridachin, N.B.; Smirnov, L.S. (1975). Orientation effects in the implantation of Te ions in gallium arsenide at elevated temperatures. Soviet physics: Semiconductors, 9 (11), 1435−1436.
1.1.
1975
Gavrilov, A.A.; Kachurin, G.A.; Pridachin, N.B.; Smirnov, L.S. (1975). Diffusion of zinc and cadmium in gallium arsenide irradiated with arsenic ions. Soviet physics: Semiconductors, 8 (11), 1455−1456.
1.2.
1975
Gavrilov, A. ; Kachurin, G. ; Pridatchin, N. (1975). Võsokochuvstvitelnõe varikapõ s bolchim perekrõtiem po emkosti, poluchennõe vnedreniem ionov tellura v arsenid gallija. Mikroelektronika, 4 (5), 460−462.
1.2.
1975
Gavrilov, A. ; Zelevinskaja, V. ; Kachurin, G. ; Pridatchin, N. ; Smirnov, L. (1975). Orientatsionnõe effektõ pri vnedrenii ionov Te v arsenid gallija pri povõchennoi temperature. Fizika i tehnika poluprovodnikov, 9 (11), 2207−2209.
1.3.
1975
Gavrilov, A. ; Kachurin, G. ; Smirnov, L. (1975). Solnechnõe elementõ iz arsenida gallija, poluchennõe ionnoi bombardirovkoi. Geliotehnika, 6, 20−23.
3.4.
1975
Gavrilov, A.; Zelevinskaja, V.; Kachurin, G.; Pridatchin, N.; Smirnov, L. (1975). Vlijanie temperaturõ micheni na kanalirovanie i diffuziju ionov tellura v arsenid gallija. Trudõ II Mezdunarodnoi konferentsii po vnedreniju ionov v poluprovodniki: II Mezdunarodnaja konferentsija po vnedreniju ionov v pouprovodniki; Budapecht, 1975. 498−498.
1.2.
1974
Gavrilov, A. ; Kachurin, G. ; Pridatchin, N. ; Smirnov, L. (1974). O diffuzii tsinka i kadmija v arsenide gallija. Fizika i tehnika poluprovodnikov, 8 (11), 2236−2238.
1.2.
1974
Gavrilov, A. ; Kachurin, G. ; Pridatchin, N. (1974). Omicheskie kontaktõ k slabolegirovannomu p-GaAs, poluchennõe s pomochju ionnoi bombardirovki. Elektronnaja tehnika, 5, 83−84.
3.4.
1974
Gavrilov, A.; Kachurin, G.; Safronov, L. (1974). O glubokom proniknovenii defektov v arsenide gallija, obluchennom ionami argona. Arsenid gallija (99−101).. Tomsk (Venemaa): Tomsk State University.
5.2.
1974
Gavrilov, A.; Kachurin, G.; Smirnov, L.; Pridatchin, N. (1974). Elektricheskie i fotoelektricheskie svoistva p-n perehodov v arsenide gallija, poluchennih ionnõm vnedreniem. Proc. Intern. Conf. on Ion Implantation in Semiconductors, 2: Intern. Conf. on Ion Implantation in Semiconductors, Lublin, Poland, 1974. Poland, Lublin, 532 .
3.4.
1973
Gavrilov, A.; Zelevinskaja, V.; Kachurin, G.; Bogomjakov, N.; Azikov, B.; CHirokov, L. (1973). Vlijanie defektov na VAH p-n perehodov, poluchennõh vnedreniem ionov kadmija v arsenid gallija. Defektõ strukturõ v poluprovodnikah (288 −290).. Novosibirsk (Venemaa): Novosibirski Ülikool.
3.4.
1973
Gavrilov, A.; Zelevinskaja, V.; Kachurin, G.; Bogomjakov, N.; Kovaljov, I.; Petrova, S. (1973). Vlijanije temperaturõ otziga na izluchenie p-n perehodov, poluchennõh ionnõm vnedreniem kadmija v arsenid gallija. Defektõ strukturõ v poluprovodnikah (285−287).. Novosibirsk (Venemaa): Novosibirski Ülikool.
4.04.2019
Detailne otsing
  • Leitud 66 kirjet
PublikatsioonAutoridAastaVäljaande pealkiriKlassifikaatorFailAsutused
Demonstration of the Lorenz Force in the Study of PhysicsGavrilov, A.2019American Journal of Engineering Research1.2.Tallinna Tehnikaülikool, Loodusteaduskond, Küberneetika instituut
Demonstration of the Lorenz Force Using a Spark Gas DischargeGavrilov, A.2019Journal of Multidisciplinary Engineering Science Studies (JMESS)1.2.Tallinna Tehnikaülikool, Loodusteaduskond, Küberneetika instituut
Demonstration of Lissajous Figures in the Study of PhysicsGavrilov, A.2018International Journal of Engineering Science Invention1.2.Tallinna Tehnikaülikool, Loodusteaduskond, Küberneetika instituut
Приставка для увеличения входного сопротивления мультиметраGavrilov, A.2018Радио1.3.Tallinna Tehnikaülikool, Loodusteaduskond, Küberneetika instituut
Demonstration of acoustic beats in the study of physicsGavrilov, A.2017Journal of Multidisciplinary Engineering Science and Technology, 1.2.Tallinna Tehnikaülikool, Loodusteaduskond, Küberneetika instituut
Registration and Measurement low Alternating VoltagesGavrilov, A.2016Journal of Multidisciplinary Engineering Science and Technology1.2.Tallinna Tehnikaülikool, Matemaatika-loodusteaduskond, Füüsikainstituut
Подвесной лодочный мотор с питанием от литиевого аккумулятораГаврилов, А.2016Радио1.3.Tallinna Tehnikaülikool, Matemaatika-loodusteaduskond, Füüsikainstituut
Elektriline paadi päramootor liitiumaku toitegaGavrilov, A.2016Kalastaja6.6.Tallinna Tehnikaülikool, Matemaatika-loodusteaduskond, Füüsikainstituut
Индикатор неисправности ламп ближнего света в автомобилеГаврилов, А. 2016Радиолюбитель 6.6.Tallinna Tehnikaülikool, Matemaatika-loodusteaduskond, Füüsikainstituut
Electrical characterization of annealed chemical-bath-deposited CdS films and their application in superstrate configuration CdTe/CdS solar cellsGraf, A.; Maticiuc, N.; Spalatu, N.; Mikli, V.; Mere, A.; Gavrilov, A.; Hiie, J.2015Thin Solid Films1.1.Tallinna Tehnikaülikool, Keemia ja materjalitehnoloogia teaduskond, Materjaliuuringute teaduskeskus;
Tallinna Tehnikaülikool, Matemaatika-loodusteaduskond, Füüsikainstituut, Rakendusfüüsika õppetool;
Tallinna Tehnikaülikool, Keemia ja materjalitehnoloogia teaduskond, Materjaliteaduse instituut, Keemiliste kiletehnoloogiate teaduslaboratoorium
Measurement of the lifetime of nonequilibrium charge carriers in silicon using photoelectric methodsGraf, A.; Gavrilov, A.; Suurvarik, P.2015International Journal of Engineering and Applied Sciences (EAAS)1.2.Tallinna Tehnikaülikool, Matemaatika-loodusteaduskond, Füüsikainstituut
Electrical characterization of CdS films, annealed in reducing, neutral and oxidizing ambients of H2, N2, and airGraf, A.; Maticiuc, N.; Gavrilov, A.; Hiie, J.2014EMRS-2014 Spring Meeting, Lilli, France - May 26-30, Program and Book of Abstracts, Symp. A - Thin film chalcogenide photovoltaic materials5.2.Tallinna Tehnikaülikool, Matemaatika-loodusteaduskond, Füüsikainstituut, Rakendusfüüsika õppetool;
Tallinna Tehnikaülikool, Keemia ja materjalitehnoloogia teaduskond, Materjaliteaduse instituut, Keemiliste kiletehnoloogiate teaduslaboratoorium
The role of Cl in the chemical bath on the properties of CdS thin filmsMaticiuc, N.; Hiie, J.; Raadik, T.; Graf, A.; Gavrilov, A.2013Thin Solid Films1.1.Tallinna Tehnikaülikool, Keemia ja materjalitehnoloogia teaduskond, Materjaliteaduse instituut
Generator impulsovGavrilov, A.2012Radio1.3.Tallinna Tehnikaülikool, Matemaatika-loodusteaduskond, Füüsikainstituut, Rakendusfüüsika õppetool
Influence of Annealing in H2 Atmosphere on the Electrical Properties of Thin Film CdS Maticiuc, N.; Hiie, J.; Potlog, T.; Valdna, V.; Gavrilov, A.2011MRS Proceedings "Compound Semiconductors for Energy Applications and Environmental Sustainability"3.1.Tallinna Tehnikaülikool, Keemia ja materjalitehnoloogia teaduskond, Materjaliteaduse instituut, Pooljuhtmaterjalide tehnoloogia õppetool;
Tallinna Tehnikaülikool
Pooljuhtmaterjalide elektriliste parameetrite mõõtmineGavrilov, A.20116.2.Tallinna Tehnikaülikool, Matemaatika-loodusteaduskond, Füüsikainstituut
Raadio pelengaatorGavrilov, A.2010Радио1.3.Tallinna Tehnikaülikool, Matemaatika-loodusteaduskond, Füüsikainstituut, Rakendusfüüsika õppetool
Structural changes in chemically deposited CdS: effect of thermal annealingMaticiuc, N.; Potlog, T.; Hiie, J.; Mikli, V.; Poldme, N.; Raadik, T.; Valdna, V.; Mere, A.; Gavrilov, A.; Quinci, F.; Lughi, V.; Sergo, V.2010Moldavian Journal of the Physical Sciences1.3.Tallinna Tehnikaülikool, Keemia ja materjalitehnoloogia teaduskond, Materjaliteaduse instituut, Pooljuhtmaterjalide tehnoloogia õppetool;
Tallinna Tehnikaülikool, Keemia ja materjalitehnoloogia teaduskond, Materjaliuuringute teaduskeskus;
Tallinna Tehnikaülikool, Matemaatika-loodusteaduskond, Füüsikainstituut, Rakendusfüüsika õppetool
Keemiliselt sadestatud kaadmiumsulfiidi kilede lõõmutamisel toimuvad struktuursed muutusedPõldme, N.; Hiie, J.; Mikli, V.; Raadik, T.; Valdna, V.; Mere, A.; Gavrilov, A.; Maticiuc, N.; Potlog, T.; Quinci, F.; Lughi, V.; Sergo, V.2010Abstracts of Scientific Conference5.2.Tallinna Tehnikaülikool, Keemia ja materjalitehnoloogia teaduskond, Materjaliteaduse instituut;
Tallinna Tehnikaülikool, Keemia ja materjalitehnoloogia teaduskond, Materjaliuuringute teaduskeskus;
Tallinna Tehnikaülikool, Matemaatika-loodusteaduskond, Füüsikainstituut
Курс общей физики. II том (Üldfüüsika kursus II, The course of general physics vol II)Гаврилов, A.20106.2.Tallinna Tehnikaülikool, Matemaatika-loodusteaduskond, Füüsikainstituut, Rakendusfüüsika õppetool
Радиомаяк (The CW transmitter)Гаврилов, A.2009Радио1.3.Tallinna Tehnikaülikool, Matemaatika-loodusteaduskond, Füüsikainstituut, Rakendusfüüsika õppetool
Thermal annealing effect on structural and electrical properties of chemical bath deposited CdS filmsHiie, J.; Muska, K.; Valdna, V.; Mikli, V.; Taklaja, A.; Gavrilov, A.2008Thin Solid Films1.1.Tallinna Tehnikaülikool, Keemia ja materjalitehnoloogia teaduskond, Materjaliuuringute teaduskeskus;
Tallinna Tehnikaülikool, Mehaanikateaduskond, Materjalitehnika instituut;
Tallinna Tehnikaülikool, Matemaatika-loodusteaduskond, Füüsikainstituut;
Tallinna Tehnikaülikool, Infotehnoloogia teaduskond, Raadio- ja sidetehnika instituut
Курс общей физики. I том (Üldfüüsika kursus I, The course of general physics I vol)Гаврилов, A20086.2.Tallinna Tehnikaülikool, Matemaatika-loodusteaduskond, Füüsikainstituut, Rakendusfüüsika õppetool
Сборник задач по физике (Füüsika ülesanded, The physics exercises)Гаврилов, A.20086.2.Tallinna Tehnikaülikool, Matemaatika-loodusteaduskond, Füüsikainstituut, Rakendusfüüsika õppetool
Источник стабилизмрованного переменног тока для эффекта Холла в полупроводниках (The source of stabilized alternating current for measurement of Hall effect)Гаврилов, А.2007Приборы и техника эксперимента1.2.Tallinna Tehnikaülikool, Matemaatika-loodusteaduskond, Füüsikainstituut, Rakendusfüüsika õppetool