See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Hele Siimon

https://www.etis.ee/CV/Hele_Siimon/est
8.03.1959
737 6351
hele.siimon@ut.ee

Teenistuskäik

Töökohad ja ametid
01.01.2007–31.12.2007   
Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituut, erakorraline teadur (0,50)
01.09.2006–31.12.2006   
Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituut, erakorraline teadur (0,50)
01.09.2006–31.12.2007   
Tartu Ülikool, Füüsika-keemiateaduskond, Füüsika-keemiateaduskonna dekanaat, materjaliteaduse programmijuht (0,50)
01.05.2004–31.08.2006   
Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituut, erakorraline teadur (1,00)
 
 
Haridustee
1977–1988   
Tartu Riiklik Ülikool

Kvalifikatsioon

Teaduskraadid
Hele Siimon, doktorikraad, 1993, (juh) Jüri Lembra, Atomic Layer Molecular Beam Epitaxy of A2B6 Compounds Described on the basis of Kinetic Equations Model, Tartu Ülikool.
 
 
Teadustöö põhisuunad
ETIS KLASSIFIKAATOR: 4. Loodusteadused ja tehnika; 4.10. Füüsika

Publikatsioonid

Klass
Aasta
Publikatsioon
 
1.1.
2015
Siimon, Kaido; Siimon, Hele; Järvekülg, Martin (2015). Mechanical characterization of electrospun gelatin scaffolds cross-linked by glucose. Journal of Materials Science Materials in Medicine, 26 (37), 1−9.10.1007/s10856-014-5375-1.
1.1.
1997
Kukli, K.; Aarik, J.; Aidla, A.; Siimon, H.; Ritala, M.; Leskela, M. (1997). In situ study of atomic layer epitaxy growth of tantalum oxide thin films from Ta(OC2H5)(5) and H2O. Applied Surface Science, 112, 236−242.
1.1.
1997
Siimon, H.; Aarik, J. (1997). Thickness profiles of thin films caused by secondary reactions in flow-type atomic layer deposition reactors. Journal of Physics D: Applied Physics, 30 (12), 1725−1728.
1.1.
1996
Aarik, J.; Aidla, A.; Sammelselg, V.; Siimon, H.; Uustare, T. (1996). Control of thin film structure by reactant pressure in atomic layer deposition of TiO2. Journal of Crystal Growth, 169 (3), 496−502.
1.1.
1995
Aarik, J.; Siimon, H. (1995). Characterization of adsorption in flow-type atomic layer epitaxy reactor (vol 81, pg 281, 1994). Applied Surface Science, 90 (1), 109−109.
1.1.
1995
Siimon, H.; Aarik, J. (1995). Modeling of precursor flow and deposition in atomic layer deposition reactor. Journal de Physique IV, 5, 245−252.
1.1.
1995
Siimon, H.; Aarik, J. (1995). Reactivities of tacl5 and h2o as precursors for atomic layer deposition. Journal de Physique IV, 5, 277−282.
1.1.
1995
Siimon, H.; Aarik, J. (1995). Modeling of precursor flow and deposition in atomic layer deposition reactor. Journal de Physique IV, 5, 245−252.
1.1.
1994
Aarik, J.; Siimon, H. (1994). Characterization of adsorption in flow-type atomic layer epitaxy reactor. Applied Surface Science, 81 (3), 281−287.
1.1.
1994
Siimon, H.; Uustare, T. (1994). Desorption energies averaged over the desorption process by model-calculations. Applied Surface Science, 75, 83−86.
1.1.
1992
Siimon, H.; Uustare, T.; Lembra, J. (1992). Description of the atomic layer epitaxial-growth based on kinetic-equation techniques. physica status solidi (a), 132 (2), 413−418.
13.01.2021

Hele Siimon

https://www.etis.ee/CV/Hele_Siimon/eng

Publications

Category
Year
Publication
 
1.1.
2015
Siimon, Kaido; Siimon, Hele; Järvekülg, Martin (2015). Mechanical characterization of electrospun gelatin scaffolds cross-linked by glucose. Journal of Materials Science Materials in Medicine, 26 (37), 1−9.10.1007/s10856-014-5375-1.
1.1.
1997
Kukli, K.; Aarik, J.; Aidla, A.; Siimon, H.; Ritala, M.; Leskela, M. (1997). In situ study of atomic layer epitaxy growth of tantalum oxide thin films from Ta(OC2H5)(5) and H2O. Applied Surface Science, 112, 236−242.
1.1.
1997
Siimon, H.; Aarik, J. (1997). Thickness profiles of thin films caused by secondary reactions in flow-type atomic layer deposition reactors. Journal of Physics D: Applied Physics, 30 (12), 1725−1728.
1.1.
1996
Aarik, J.; Aidla, A.; Sammelselg, V.; Siimon, H.; Uustare, T. (1996). Control of thin film structure by reactant pressure in atomic layer deposition of TiO2. Journal of Crystal Growth, 169 (3), 496−502.
1.1.
1995
Aarik, J.; Siimon, H. (1995). Characterization of adsorption in flow-type atomic layer epitaxy reactor (vol 81, pg 281, 1994). Applied Surface Science, 90 (1), 109−109.
1.1.
1995
Siimon, H.; Aarik, J. (1995). Modeling of precursor flow and deposition in atomic layer deposition reactor. Journal de Physique IV, 5, 245−252.
1.1.
1995
Siimon, H.; Aarik, J. (1995). Reactivities of tacl5 and h2o as precursors for atomic layer deposition. Journal de Physique IV, 5, 277−282.
1.1.
1995
Siimon, H.; Aarik, J. (1995). Modeling of precursor flow and deposition in atomic layer deposition reactor. Journal de Physique IV, 5, 245−252.
1.1.
1994
Aarik, J.; Siimon, H. (1994). Characterization of adsorption in flow-type atomic layer epitaxy reactor. Applied Surface Science, 81 (3), 281−287.
1.1.
1994
Siimon, H.; Uustare, T. (1994). Desorption energies averaged over the desorption process by model-calculations. Applied Surface Science, 75, 83−86.
1.1.
1992
Siimon, H.; Uustare, T.; Lembra, J. (1992). Description of the atomic layer epitaxial-growth based on kinetic-equation techniques. physica status solidi (a), 132 (2), 413−418.
13.01.2021

Otsi projekti

  • {{item.Name}}
Asutus on projekti finantseerija   Asutus on projekti teostaja  
  • {{searchListItem.Name}}
Kõik   Tavaprojektid   Ülemprojektid   Alamprojektid  
Uus Frascati (2015)
Uus ja vana Frascati (otsing uue järgi väljastab ka seotud vanad)
Kõik
Käimasolevad
Lõppenud
Algus
Hajus
Täpne
Lihtotsing Tühjenda
  • Leitud 2 kirjet
ProgrammLiikNumberNimiProjekti algusProjekti lõppVastutav täitjaAsutusFinantseerijapoolne rahastamine
MTTMTT50Edendatud omadustega nanokomposiitide väljatöötamine rakendusteks uudsetes lasermaterjalides ja valgusallikates01.08.201131.10.2015Yury OrlovskiyTartu Ülikool; Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituut544 001,00 EUR
ETFETF5861Pinna- ja siirdekihtide mõju laia keelutsooniga oksiidikilede aatomkihtkasvule ja omadustele01.01.200431.12.2007Arnold RosentalTartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituut102 754,59 EUR