See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Raul Rammula

https://www.etis.ee/CV/Raul_Rammula/est
16.02.1981
737 4673
raul.rammula@ut.ee

Teenistuskäik

Töökohad ja ametid
2009–...   
Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Teadur (1,00)
2008–2009   
Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituut, Erakorraline teadur (0,10)
01.09.2007–31.12.2007   
Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituut, insener (0,30)
01.04.2006–31.08.2007   
Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituut, insener (0,15)
01.10.2005–31.12.2007   
Tartu Ülikool, Füüsika-keemiateaduskond, Füüsika-keemiateaduskonna dekanaat, erakorraline teadur (0,10)
01.02.2005–31.03.2005   
Tartu Ülikool, Füüsika-keemiateaduskond, Füüsikalise keemia instituut, insener (0,50)
2004–2004   
Tartu Ülikool, Füüsika-keemiateaduskond, Füüsikalise keemia instituut, insener (0,50)
 
 
Haridustee
2003–2005   
Tartu Ülikool, tahkisefüüsika, MSc
1999–2003   
Tartu Ülikool, materjaliteadus, BSc

Kvalifikatsioon

Teaduskraadid
Raul Rammula, doktorikraad, 2011, (juh) Väino Sammelselg; Jaan Aarik, Atomic layer deposition of HfO2 - nucleation, growth and structure development of thin films (Hafniumoksiidi aatomkihtsadestamine - nukleatsioon, kasv, ja struktuuri muutused kiles), Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituut.

Publikatsioonid

Klass
Aasta
Publikatsioon
 
1.1.
2013
Tamm, Aile; Peikolainen, Anna-Liisa; Kozlova, Jekaterina; Mändar, Hugo; Aidla, Aleks; Rammula, Raul; Aarik, Lauri; Roosalu, Kaspar; Lu, Jun; Hultman, Lars; Koel, Mihkel; Kukli, Kaupo; Aarik, Jaan (2013). Atomic layer deposition of high-k dielectrics on carbon nanoparticles. Thin Solid Films, 538, 16−20.10.1016/j.tsf.2012.09.071.
1.1.
2012
Aarik, Jaan; Hudec, Boris; Hus'ekova, Kristina; Rammula, Raul; Kasikov, Aarne, Arroval, Tõnis; Uustare, Teet; Fröhlich, Karol (2012). Atomic layer deposition of high-permittivity TiO2 dielectrics with low leakage current on RuO2 in TiCl4-based processes. Semiconductor Science and Technology, 27 (7), 074007−(6).10.1088/0268-1242/27/7/074007.
5.2.
2012
Tamm, Aile; Peikolainen, Anna-Liisa; Kozlova, Jekaterina; Aidla, Aleks; Rammula, Raul; Aarik, Lauri; Lu, Jun; Hultman, Lars; Mändar, Hugo; Marandi, Margus; Kukli, Kaupo; Aarik, Jaan (2012). Atomic layer deposition of high-k dielectrics on carbon nanoparticles for potential applications in nonvolatile memories. EMRS 2012 Spring Meeting, Carbon- or Nitrogen-Containing Nanostructured Thin Films: EMRS 2012 Spring Meeting, Strasbourg, France, 14-18. May 2012.
1.1.
2011
Hudec, B.; Hus'ekova, K.; Dobroc'ka, E.; Aarik, J.; Rammula, R.; Kasikov, A.; Tarre, A.; Vincze, A.; Fröhlich, K. (2011). Atomic layer deposition grown metal-insulator-metal capacitors with RuO2 electrodes and Al-doped rutile dielectric layer. Journal of Vacuum Science and Technology B, 29 (1), 01AC09-1−01AC09-7.
3.1.
2011
Fröhlich, K.; Hudec, B.; Hušeková, K.; Aarik, J.; Tarre, A.; Kasikov, A.; Rammula, R.; Vincze, A. (2011). Low Equivalent Oxide Thickness TiO2 Based Capacitors for DRAM Application. In: J. Elam, S. De Gendt, A. Londergan, S. Bent, O. Van der Straten, A. Delabie, F. Roozeboom (Ed.). ECS Transactions (73−77).. The Electrochemical Society Inc.. (2).10.1149/1.3633656.
3.2.
2011
Alles, H.; Aarik, J.; Kozlova, J.; Niilisk, A.; Rammula, R.; Sammelselg, V. (2011). Atomic layer deposition of high-k oxides on graphene. In: Jian Ru Gong (Ed.). Graphene - Synthesis, Characterization, Properties and Applications (99−114). . INTECH.
1.1.
2010
Sammelselg, V.; Tarre, A.; Lu, J.; Aarik, J.; Niilisk, A.; Uustare, T.; Netšipailo, I.; Rammula, R.; Pärna, R.; Rosental, A. (2010). Structural characterization of TiO2–Cr2O3 nanolaminates grown by atomic layer deposition. Surface and Coatings Technology, 204, 2015−2018. DOI: 10.1016/j.surfcoat.2009.11.039.
1.1.
2010
Rammula, R.; Aarik, J.; Mändar, H.; Ritslaid, P.; Sammelselg, V. (2010). Atomic layer deposition of HfO2: Effect of structure development on growth rate, morphology and optical properties of thin films. Applied Surface Science, 257 (3), 1043−1052. DOI: 10.1016/j.apsusc.2010.07.105.
1.1.
2008
Tarre, A.; Aarik, J.; Mändar, H.; Niilisk, A.; Pärna, R.; Rammula, R.; Uustare, T.; Rosental, A.; Sammelselg, V. (2008). Atomic layer deposition of Cr2O3 thin films: Effect of crystallization on growth and properties. Applied Surface Science, 254 (16), 5149−5156. DOI: 10.1016/j.apsusc.2008.02.016.
1.1.
2007
Kikas, A.; Aarik, J.; Kisand, V.; Kooser, K.; Käämbre, T.; Mändar, H.; Uustare, T.; Rammula, R.; Sammelselg, V.; Martinson, I. (2007). Effect of phase composition of X-ray absorption spectra of ZrO2 thin films. Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 156, 303−306. DOI: 10.1016/j.elspec.2006.11.031.
1.1.
2007
Sammelselg, V.; Rammula, R.; Aarik, J.; Kikas, A.; Kooser, K.; Käämbre, T. (2007). XPS ad AFM investigation of hafnium dioxide thin films prepared by atomic layer deposition on silicon. Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 156, 150−154. DOI: 10.1016/j.elspec.2006.12.070.
5.2.
2007
Rammula, R.; Aarik, J.; Kikas, A.; Käämbre, T.; Mändar, H.; Uustare, T.; Sammelselg, V. (2007). X-ray absorption spectroscopy as a method for structural study of HfO2 and ZrO2 thin films. Book of Abstracts: E-MRS 2007 Fall Meeting; Warsaw, Poland; 17-21 September 2007. Warsaw: Pielaszek Research, 101.
1.1.
2006
Aarik, J.; Aidla, A.; Kasikov, A.; Mändar, H.; Rammula, R.; Sammelselg, V. (2006). Influence of carrier gas pressure and flow rate on atomic layer deposition of HfO2and ZrO2 thin films. Applied Surface Science, 252 (16), 5723−5734.
1.1.
2006
Lulla, M.; Asari, J.; Aarik, J.; Kukli, K.; Rammula, R.; Tapper, U.; Kauppinen, E.; Sammelselg, V. (2006). Electron Probe Microanalysis of HfO2 Thin Films on Conductive and Insulating Substrates. Microchimica Acta, 155, 195−198. DOI: 10.1007/s00604-006-0542-9.
3.2.
2005
Sammelselg, V.; Aarik, J.; Kikas, A.; Rammula, R.; Käämbre, T.; Kooser, K.; Zakharov, A.; Lulla, M.; Martinson, I. (2005). Study of growth processes of ultrathin alumina films deposited on silicon substrtes. MAX-Lab Activity Report 2004 (78−79). . Lund: National Laboratory.
5.2.
2005
Sammelselg, V.; Rammula, R.; Aarik, J.; Kikas, A.; Kukli, K.; Lu, J.; Käämbre, T.; Kooser, K.; Lulla, M.; Zakharov, A.; Martinson, I. (2005). Surface and Interface investigations of HfO2 thin films. Abstracs Book of EMAS’2005: The 9th European Workshop of EMAS on Modern developments and applications in microbeam analysis; Florence, Italy; 22-26 May, 2005.
1.1.
2004
Aarik, J.; Aidla, A.; Kikas, A.; Kaambre, T.; Rammula, R.; Ritslaid, P.; Uustare, T.; Sammelselg, V. (2004). Effects of precursors on nucleation in atomic layer deposition of HfO2. Applied Surface Science, 230, 292−300.
3.2.
2004
Sammelselg, V.; Aarik, J.; Kikas, A.; Rammula, R.; Käämbre, T.; Kooser, K.; Zakharov, A.; Martinson, I. (2004). Study of growth of ultrathin hafnia films. In: Andersen, J.N.; Johansson, U.; Nyholm, R.; Ullman, H. (Ed.). MAX-lab Activity Report 2003 (84−85). . Lund: MAX-lab.
3.4.
2004
Rammula, R.; Aarik, J.; Kikas, A.; Käämbre, T.; Sammelselg, V. (2004). AFM and XPS studies of ultrathin HfO2 films prepared by ALD. Proc. 5th Nordic-Baltic Scanning Probe Microscopy Workshop; Trondheim; 16-19, June 2004. Ed. Tybell, Th.; Borg, A. Trondheim: Visual Knowledge, 93−95.
5.2.
2004
Sammelselg, V.; Aarik, J.; Kikas, A.; Rammula, R.; Käämbre, T.; Kooser, K.; Lu, J.; Kukli, K. (2004). XPS investigation of ultrathin ALD films and interface layers. Abstract Book of international conference “ALD 2004”. Porta Alba Verlag, 32.
27.07.2020

Raul Rammula

https://www.etis.ee/CV/Raul_Rammula/eng
16.02.1981
737 4673
raul.rammula@ut.ee

Career

Institutions and positions
2009–...   
University of Tartu, Faculty of Science and Technology (old), Researcher (1,00)
2008–2009   
University of Tartu, Faculty of Science and Technology (old), Institute of Physics, University of Tartu, Extraordinary Researcher (0,10)
01.09.2007–31.12.2007   
University of Tartu, Faculty of Science and Technology (old), Institute of Physics, University of Tartu, Engineer (0,30)
01.04.2006–31.08.2007   
University of Tartu, Faculty of Science and Technology (old), Institute of Physics, University of Tartu, Engineer (0,15)
01.10.2005–31.12.2007   
University of Tartu, Faculty of Physics and Chemistry, Dean's Office, Research Fellow extraordinarius (0,10)
01.02.2005–31.03.2005   
University of Tartu, Faculty of Physics and Chemistry, Institute of Physical Chemistry, Engineer (0,50)
2004–2004   
University of Tartu, Faculty of Physics and Chemistry, Institute of Physical Chemistry, insener (0,50)
 
 
Education
2003–2005   
University of Tartu, Solid state Physics, MSc
1999–2003   
University of Tartu, material science, BSc

Qualifications

Academic degrees
Raul Rammula, Doctor's Degree, 2011, (sup) Väino Sammelselg; Jaan Aarik, Atomic layer deposition of HfO2 - nucleation, growth and structure development of thin films, University of Tartu, Faculty of Science and Technology (old), Institute of Physics, University of Tartu.

Publications

Category
Year
Publication
 
1.1.
2013
Tamm, Aile; Peikolainen, Anna-Liisa; Kozlova, Jekaterina; Mändar, Hugo; Aidla, Aleks; Rammula, Raul; Aarik, Lauri; Roosalu, Kaspar; Lu, Jun; Hultman, Lars; Koel, Mihkel; Kukli, Kaupo; Aarik, Jaan (2013). Atomic layer deposition of high-k dielectrics on carbon nanoparticles. Thin Solid Films, 538, 16−20.10.1016/j.tsf.2012.09.071.
1.1.
2012
Aarik, Jaan; Hudec, Boris; Hus'ekova, Kristina; Rammula, Raul; Kasikov, Aarne, Arroval, Tõnis; Uustare, Teet; Fröhlich, Karol (2012). Atomic layer deposition of high-permittivity TiO2 dielectrics with low leakage current on RuO2 in TiCl4-based processes. Semiconductor Science and Technology, 27 (7), 074007−(6).10.1088/0268-1242/27/7/074007.
5.2.
2012
Tamm, Aile; Peikolainen, Anna-Liisa; Kozlova, Jekaterina; Aidla, Aleks; Rammula, Raul; Aarik, Lauri; Lu, Jun; Hultman, Lars; Mändar, Hugo; Marandi, Margus; Kukli, Kaupo; Aarik, Jaan (2012). Atomic layer deposition of high-k dielectrics on carbon nanoparticles for potential applications in nonvolatile memories. EMRS 2012 Spring Meeting, Carbon- or Nitrogen-Containing Nanostructured Thin Films: EMRS 2012 Spring Meeting, Strasbourg, France, 14-18. May 2012.
1.1.
2011
Hudec, B.; Hus'ekova, K.; Dobroc'ka, E.; Aarik, J.; Rammula, R.; Kasikov, A.; Tarre, A.; Vincze, A.; Fröhlich, K. (2011). Atomic layer deposition grown metal-insulator-metal capacitors with RuO2 electrodes and Al-doped rutile dielectric layer. Journal of Vacuum Science and Technology B, 29 (1), 01AC09-1−01AC09-7.
3.1.
2011
Fröhlich, K.; Hudec, B.; Hušeková, K.; Aarik, J.; Tarre, A.; Kasikov, A.; Rammula, R.; Vincze, A. (2011). Low Equivalent Oxide Thickness TiO2 Based Capacitors for DRAM Application. In: J. Elam, S. De Gendt, A. Londergan, S. Bent, O. Van der Straten, A. Delabie, F. Roozeboom (Ed.). ECS Transactions (73−77).. The Electrochemical Society Inc.. (2).10.1149/1.3633656.
3.2.
2011
Alles, H.; Aarik, J.; Kozlova, J.; Niilisk, A.; Rammula, R.; Sammelselg, V. (2011). Atomic layer deposition of high-k oxides on graphene. In: Jian Ru Gong (Ed.). Graphene - Synthesis, Characterization, Properties and Applications (99−114). . INTECH.
1.1.
2010
Sammelselg, V.; Tarre, A.; Lu, J.; Aarik, J.; Niilisk, A.; Uustare, T.; Netšipailo, I.; Rammula, R.; Pärna, R.; Rosental, A. (2010). Structural characterization of TiO2–Cr2O3 nanolaminates grown by atomic layer deposition. Surface and Coatings Technology, 204, 2015−2018. DOI: 10.1016/j.surfcoat.2009.11.039.
1.1.
2010
Rammula, R.; Aarik, J.; Mändar, H.; Ritslaid, P.; Sammelselg, V. (2010). Atomic layer deposition of HfO2: Effect of structure development on growth rate, morphology and optical properties of thin films. Applied Surface Science, 257 (3), 1043−1052. DOI: 10.1016/j.apsusc.2010.07.105.
1.1.
2008
Tarre, A.; Aarik, J.; Mändar, H.; Niilisk, A.; Pärna, R.; Rammula, R.; Uustare, T.; Rosental, A.; Sammelselg, V. (2008). Atomic layer deposition of Cr2O3 thin films: Effect of crystallization on growth and properties. Applied Surface Science, 254 (16), 5149−5156. DOI: 10.1016/j.apsusc.2008.02.016.
1.1.
2007
Kikas, A.; Aarik, J.; Kisand, V.; Kooser, K.; Käämbre, T.; Mändar, H.; Uustare, T.; Rammula, R.; Sammelselg, V.; Martinson, I. (2007). Effect of phase composition of X-ray absorption spectra of ZrO2 thin films. Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 156, 303−306. DOI: 10.1016/j.elspec.2006.11.031.
1.1.
2007
Sammelselg, V.; Rammula, R.; Aarik, J.; Kikas, A.; Kooser, K.; Käämbre, T. (2007). XPS ad AFM investigation of hafnium dioxide thin films prepared by atomic layer deposition on silicon. Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 156, 150−154. DOI: 10.1016/j.elspec.2006.12.070.
5.2.
2007
Rammula, R.; Aarik, J.; Kikas, A.; Käämbre, T.; Mändar, H.; Uustare, T.; Sammelselg, V. (2007). X-ray absorption spectroscopy as a method for structural study of HfO2 and ZrO2 thin films. Book of Abstracts: E-MRS 2007 Fall Meeting; Warsaw, Poland; 17-21 September 2007. Warsaw: Pielaszek Research, 101.
1.1.
2006
Aarik, J.; Aidla, A.; Kasikov, A.; Mändar, H.; Rammula, R.; Sammelselg, V. (2006). Influence of carrier gas pressure and flow rate on atomic layer deposition of HfO2and ZrO2 thin films. Applied Surface Science, 252 (16), 5723−5734.
1.1.
2006
Lulla, M.; Asari, J.; Aarik, J.; Kukli, K.; Rammula, R.; Tapper, U.; Kauppinen, E.; Sammelselg, V. (2006). Electron Probe Microanalysis of HfO2 Thin Films on Conductive and Insulating Substrates. Microchimica Acta, 155, 195−198. DOI: 10.1007/s00604-006-0542-9.
3.2.
2005
Sammelselg, V.; Aarik, J.; Kikas, A.; Rammula, R.; Käämbre, T.; Kooser, K.; Zakharov, A.; Lulla, M.; Martinson, I. (2005). Study of growth processes of ultrathin alumina films deposited on silicon substrtes. MAX-Lab Activity Report 2004 (78−79). . Lund: National Laboratory.
5.2.
2005
Sammelselg, V.; Rammula, R.; Aarik, J.; Kikas, A.; Kukli, K.; Lu, J.; Käämbre, T.; Kooser, K.; Lulla, M.; Zakharov, A.; Martinson, I. (2005). Surface and Interface investigations of HfO2 thin films. Abstracs Book of EMAS’2005: The 9th European Workshop of EMAS on Modern developments and applications in microbeam analysis; Florence, Italy; 22-26 May, 2005.
1.1.
2004
Aarik, J.; Aidla, A.; Kikas, A.; Kaambre, T.; Rammula, R.; Ritslaid, P.; Uustare, T.; Sammelselg, V. (2004). Effects of precursors on nucleation in atomic layer deposition of HfO2. Applied Surface Science, 230, 292−300.
3.2.
2004
Sammelselg, V.; Aarik, J.; Kikas, A.; Rammula, R.; Käämbre, T.; Kooser, K.; Zakharov, A.; Martinson, I. (2004). Study of growth of ultrathin hafnia films. In: Andersen, J.N.; Johansson, U.; Nyholm, R.; Ullman, H. (Ed.). MAX-lab Activity Report 2003 (84−85). . Lund: MAX-lab.
3.4.
2004
Rammula, R.; Aarik, J.; Kikas, A.; Käämbre, T.; Sammelselg, V. (2004). AFM and XPS studies of ultrathin HfO2 films prepared by ALD. Proc. 5th Nordic-Baltic Scanning Probe Microscopy Workshop; Trondheim; 16-19, June 2004. Ed. Tybell, Th.; Borg, A. Trondheim: Visual Knowledge, 93−95.
5.2.
2004
Sammelselg, V.; Aarik, J.; Kikas, A.; Rammula, R.; Käämbre, T.; Kooser, K.; Lu, J.; Kukli, K. (2004). XPS investigation of ultrathin ALD films and interface layers. Abstract Book of international conference “ALD 2004”. Porta Alba Verlag, 32.
27.07.2020

Otsi projekti

  • {{item.Name}}
Asutus on projekti finantseerija   Asutus on projekti teostaja  
  • {{searchListItem.Name}}
Kõik   Tavaprojektid   Ülemprojektid   Alamprojektid  
Uus Frascati (2015)
Uus ja vana Frascati (otsing uue järgi väljastab ka seotud vanad)
Kõik
Käimasolevad
Lõppenud
Algus
Hajus
Täpne
Lihtotsing Tühjenda
  • Leitud 19 kirjet
ProgrammLiikNumberNimiProjekti algusProjekti lõppVastutav täitjaAsutusFinantseerijapoolne rahastamine
ETFETF8666Aatomkontrollitud kaitsvad katted01.01.201131.12.2012Väino SammelselgTartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituut22 080,00 EUR
1.1.5.3.4.2.2.LLTFY17350Energiamuundamiskadude väljaselgitamine ja vähendamine ökonoomsetes päikesepatareides09.03.201709.05.2020Jaan AarikTartu Ülikool, Loodus- ja täppisteaduste valdkond, füüsika instituut481 390,00 EUR
1.2.3.4.MLTFY16096RGrafeenil põhinevad murrangulised tehnoloogiad01.04.201631.03.2018Harry AllesTartu Ülikool, Loodus- ja täppisteaduste valdkond, füüsika instituut356 650,00 EUR
MTTMTT1Grafeenil põhinevate nanostruktuuride valmistamine, töötlemine ja karakteriseerimine01.03.200928.02.2014Harry AllesTartu Ülikool; Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituut479 337,36 EUR
1.2.3.4.MLTFY18092RGraphene Flagship Core Project 201.04.201831.03.2020Raivo JaanisoTartu Ülikool, Loodus- ja täppisteaduste valdkond, füüsika instituut218 000,00 EUR
SFSF0180042s07Infotehnoloogiliste ja nanoelektrooniliste rakendustega tahkiskihtstruktuurid01.01.200731.12.2012Kaupo KukliTartu Ülikool, Füüsika-keemiateaduskond; Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituut; Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond478 424,01 EUR
IUTIUT2-24Kilestruktuurid nanoelektroonika rakendusteks ja funktsionaalseteks pinnakateteks01.01.201331.12.2018Väino SammelselgTartu Ülikool, Loodus- ja täppisteaduste valdkond, füüsika instituut2 688 000,00 EUR
TKTK117Kõrgtehnoloogilised materjalid jätkusuutlikuks arenguks01.01.201131.12.2015Enn LustTartu Ülikool; Tallinna Tehnikaülikool, Keemia ja materjalitehnoloogia teaduskond; Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituut; Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Keemia Instituut2 870 086,58 EUR
MUUSLOFY12164T (3.2.1101.12-0026)Metalli pindasid funktsionaliseerivad ja kaitsvad õhukesed nanomaterjalidest pinnakatted01.07.201231.12.2014Väino SammelselgTartu Ülikool406 915,50 EUR
ETFETF7845Nanomõõtmelised metall-dielektrik-struktuurid01.01.200931.12.2012Jaan AarikTartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituut; Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond65 680,38 EUR
SFSF0382149s02Nanostruktuursed materjalid01.01.200231.12.2006Arnold RosentalTartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituut792 696,19 EUR
MUUSLOFY10093EPaardunud spinnid grafeenis01.06.201030.09.2013Jaan AarikTartu Ülikool; Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituut191 699,99 EUR
ETFETF5861Pinna- ja siirdekihtide mõju laia keelutsooniga oksiidikilede aatomkihtkasvule ja omadustele01.01.200431.12.2007Arnold RosentalTartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituut102 754,59 EUR
SFSF0180046s07Pinnanähtused tahkisefüüsikas ja -tehnoloogias01.01.200731.12.2012Väino SammelselgTartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituut1 590 665,57 EUR
MUUSLOKT12180T (3.2.1101.12-0019)Süsinik-nanomaterjalide funktsionalisatsioon, süntees, karakteriseerimine ja rakendused01.04.201231.03.2015Enn LustTartu Ülikool438 035,50 EUR
PRGPRG753Takistuslülitusnähtused andmetöötluseks loodud tehismaterjalides01.01.202031.12.2024Kaupo KukliTartu Ülikool, Loodus- ja täppisteaduste valdkond, füüsika instituut514 250,00 EUR
MUUSLOFY12189T (2.1.1101.12-0006)Täiustatud materjalitehnoloogia GaAs-põhiste elektroonika seadiste valmistamiseks01.07.201231.12.2014Jaan AarikTartu Ülikool; Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond402 467,50 EUR
TKSLTKT16141T (TK141)Uudsed materjalid ja kõrgtehnoloogilised seadmed energia salvestamise ja muundamise süsteemidele (TK141)01.01.201601.03.2023Enn LustTartu Ülikool, Loodus- ja täppisteaduste valdkond3 293 473,70 EUR
ETFETF6651Uute tehnoloogiliste materjalide ja kilestruktuuride in-situ nanotasemel karakteriseerimine01.01.200631.12.2009Väino SammelselgTartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituut; Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond75 623,33 EUR