See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus
18.10.1981
+380935755566
shynkarenko@gmail.com

Career

Institution and occupation
01.01.2004–31.12.2010   
Institute of Semiconductor Physics, NAS Ukraine

Publications

Category
Year
Publication
 
1.3.
2009
2.3.
2009
5.2.
2009
5.2.
2009
1.1.
2008
1.2.
2008
5.2.
2008
1.3.
2007
2.2.
2007
5.2.
2007
5.2.
2007
5.2.
2007
1.3.
2006
1.3.
2006
5.2.
2006
5.2.
2006
5.2.
2006
5.2.
2006
1.2.
2005
5.2.
2005
5.2.
2005
5.2.
2005
1.2.
2004
5.2.
2004
5.2.
2003
5.2.
2003
3.1.
2002
5.2.
2002
8.05.2018
  • Leitud 28 kirjet
PublikatsioonAutoridAastaVäljaande pealkiriKlassifikaatorFailAsutused
Импульсный характериографKudryk, Ya.Ya; Shynkarenko, V.V.2009Техника и приборы СВЧ1.3.
Механізм структурної релаксації нанорозмірних плівок Та2О5, вирощених на підкладках p-Si, стимульований мікрохвильовою обробкоюShynkarenko, V.V.20092.3.
The features of formation and measurement of the parameters of ohmic contacts to gallium nitride LEDs Boltovets, M.S.; Ivanov, V.M.; Konakova, R.V.; Milenin, V.V.; Kudryk, Ya.Ya.; Sheremet, V.M.; Shynkarenko, V.V.20095.2.
Особливості впливу низькоенергетичних полів на структуру, електричні та мікромеханічні характеристики тугоплавких композиційних матеріалівМакара, В.А.; Тоцький, І.М.; Попов, О.Ю.; Лисенко, Д.А.; Шинкаренко, В.В.20095.2.
Microwave irradiation impact on Ta2O5 stack capacitors with different gates Atanassova, E.; Mitin, V.F.; Konakova, R.V.; Spassov, D.; Shynkarenko, V.V.2008Semiconductor Science and Technology1.1.
Microwave effect on Ti-doped Ta2O5 stacked capacitors Atanassova, E.; Konakova, R.V.; Mitin, V.F.; Spassov, D.; Lytvyn, O.S.; Shynkarenko, V.V.2008Recent Patents on Electrical Engeneering1.2.
The surface dimentional quantization effect in hybrid sollar cells with fullereneKonakova, R.V.; Matveeva, L.A.; Kolyadina, E.Yu.; Nelyuba, P.L.; Shynkarenko, V.V.20085.2.
Влияние активных обработок на пленки Та2О5 и кремниевые МДП-структуры на их основе (обзор)Shynkarenko, V.V.2007Оптоэлектроника и полупроводниковая техника1.3.
Effect of active actions on the properties of semiconductor materials and structuresAtanassova, E.D.; Belyaev, A.E.; Konakova, R.V.; Lytvyn, P.M.; Milenin, V.V.; Mitin, V.F.; Shynkarenko, V.V.20072.2.
Влияние микроволнового излучения на емкостные характеристики МОП структур Al-SiO2-SiКонакова, Р.В.; Матвеева, Л.А.; Колядина, Е.Ю.; Петлицкая, Т.В.; Шинкаренко, В.В.20075.2.
Модификация электрофизических параметров МДП структур с тонким диэлектриком Та2О5 кратковременным СВЧ отжигомShynkarenko, V.V.20075.2.
Радиационная нанотехнология изготовления гибридных структур тонкопленочного солнечного элементаКонакова, Р.В.; Матвеева, Л.А.; Колядина, Е.Ю.; Нелюба, П.Л.; Шинкаренко, В.В.20075.2.
Влияние микроволновой обработки на физические параметры конверсионного слоя и качество границ раздела в солнечных элементах с фуллеренами С60. Конакова, Р.В.; Матвеева, Л.А.; Нелюба, П.Л.; Колядина, Е.Ю.; Шинкаренко, В.В.; Иванюта, О.Н.; Невмержицький, С.А.; Вебер, Л.; Риттер, У.; Шарфф, П.2006Сборник научных трудов1.3.
Изменение емкостных характеристик кремниевых МОП структур под влиянием малых доз СВЧ излученияПетлицкая, Т.В.; Простов, И.В.; Шинкаренко, В.В.2006Известия Азербайджанского Национального Аэрокосмического Агенства1.3.
Radiation-enhanced change of electron parameters of polymeric solar cell with fulleren-derivative composite. Konakova, R.V.; Matveeva, L.A.; Kolyadina, E.Yu.; Nelyuba, P.L.; Shynkarenko, V.V.; Ivanyuta, O.N.; Nevmerzhytzkiy, S.A.; Weber, L.; Ritter, U.; Scharff, P.20065.2.
Влияние микроволнового излучения на электрофизические параметры МДП структур Au-Ta2O5-pSiШинкаренко, В.В.; Атанасова, Е.20065.2.
Изменение внутренних механических напряжений барьерных структур Pt-n-n+-GaAs после СВЧ обработкиБекбергенов, С.Е.; Кучук, А.В.; Кладько, В.П.; Кудрик, Я.Я.; Конакова, Р.В.; Миленин, В.В.; Шинкаренко, В.В.20065.2.
Процессы структурной релаксации в полимер-фуллереновых солнечных элементахКонакова, Р.В.; Матвеева, Л.А.; Колядина, Е.Ю.; Нелюба, П.Л.; Шинкаренко, В.В.; Иванюта, О.Н.; Невмержицкий, С.А.; Weber, L.; Ritter, U.; Scharff, P.20065.2.
Effect of microwave radiation on the properties of Ta2O5-Si microstructuresAtanassova, E.; Konakova, R.V.; Mitin, V.F.; Koprinarova, J.; Lytvyn, O.S.; Okhrimenko, O.B.; Shynkarenko, V.V.; Virovska, D.2005Microelectronics Reliability1.2.
Влияние СВЧ излучения на параметры МДП структур металл-Та2О5-pSi. Шинкаренко, В.В.20055.2.
Вплив короткочасового малопотужного НВЧ випромінювання на електрофізичні параметри кремнієвих МДП структурШинкаренко, В.В.20055.2.
Вплив НВЧ випромінювання на електрофізичні властивості кремнієвих МДП структурШинкаренко, В.В.20055.2.
Влияние микроволнового излучения на вольтфарадные характеристики кремниевых МДП структурШинкаренко, В.В.2004Петербургский Журнал Электроники1.2.
Исследование влияния СВЧ излучения на ВАХ и ВФХ структуры TiN-Ta2O5-pSiШинкаренко, В.В.20045.2.
Исследование влияния СВЧ излучения на гетеропереход Та2О5 – SiШинкаренко, В.В.20035.2.