Elektronisches Bauteil mit Zwischenschicht zwischen n- und p-dotierter Halbleiterschicht
Patentne leiutis: Elektronisches Bauteil mit Zwischenschicht zwischen n- und p-dotierter Halbleiterschicht; Omanikud: Crystalsol OÜ; Autorid: Dieter Meissner, Marit Kauk-Kuusik, Kaia Ernits, Axel Neisser; Prioriteedi number: DE201410224004 ; Prioriteedi kuupäev: 25.11.2014.
Patentne leiutis
Elektronisches Bauteil mit Zwischenschicht zwischen n- und p-dotierter Halbleiterschicht
Elektronic Device with Interlayer Bauteil Between n- and p-doped Semiconductor Layers
Prioriteeditaotlus
25.11.2014
DE201410224004
Rahvusvaheline (IPC)
H01L29/06; H01L31/0224; H01L31/0352; H01L31/0749
Saksamaa Liitvabariik
Kaitstud