See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus
Meetod TiB2-põhiste keeruka geomeetriaga detailide tootmiseks selektiivse laserpaagutuse abil
Patentne leiutis: Meetod TiB2-põhiste keeruka geomeetriaga detailide tootmiseks selektiivse laserpaagutuse abil; Omanikud: Tallinna Tehnikaülikool; Autorid: Sofiya Aydinyan, Le Liu, Tatevik Minasyan, Irina Hussainova; Prioriteedi number: US62/677975; Prioriteedi kuupäev: 30.05.2018.
Patentne leiutis
Meetod TiB2-põhiste keeruka geomeetriaga detailide tootmiseks selektiivse laserpaagutuse abil
TiB2 based complex structures by selective laser sintering
Prioriteeditaotlus
30.05.2018
US62/677975
Rahvusvaheline (IPC)
Ameerika Ühendriigid
Kaitstud
Järgnevad taotlused (1)
KuupäevNumberPatendiametRiikURLFailStaatus
28.05.2019P201900016Eesti VabariikKaitstud