See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus
电致变形薄膜阵列制备方法及应用
Patentne leiutis: 电致变形薄膜阵列制备方法及应用; Omanikud: Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences ; Autorid: Wei Chen, Zicai Zhu, Yin Hu; Prioriteedi kuupäev: 14.03.2014.
Patentne leiutis
电致变形薄膜阵列制备方法及应用
  • Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences
Prioriteeditaotlus
14.03.2014
Rahvusvaheline (IPC)
Hiina Rahvavabariik
Kaitstud