Method of forming a dielectric through electrodeposition on an electrode for a capacitor
Patentne leiutis: Method of forming a dielectric through electrodeposition on an electrode for a capacitor ; Omanikud: Tartu Ülikool, Loodus- ja täppisteaduste valdkond, keemia instituut; Autorid: Tavo Romann, Enn Lust, Ove Oll; Prioriteedi number: GB1417157.3; Prioriteedi kuupäev: 29.09.2014.
Patentne leiutis
Method of forming a dielectric through electrodeposition on an electrode for a capacitor
(WO2016050761)
Prioriteeditaotlus
29.09.2014
GB1417157.3
Rahvusvaheline (IPC)
PCT patent
World Intellectual Property Organization
Muu...
Kaitstud
Välja antud kaitsedokumendid (1)
KuupäevNumberPatendiametKehtiv kuniVolinikRiikURLFailStaatus
2.10.2018US10087541B2USAAmeerika ÜhendriigidKaitstud