Процессы создания радиационных дефектов в кристаллах Al2O3 и SiO2 в условиях высокой плотности электронных возбуждений

Anna Šugai, magistrikraad, 2008, (juh) Aleksandr Luštšik; Jevgeni Vassiltšenko, Процессы создания радиационных дефектов в кристаллах Al2O3 и SiO2 в условиях высокой плотности электронных возбуждений (Kiiritusdefektide tekitamise protsessid Al2O3 ja SiO2 kristallides elektronergastuste suurte tiheduste tingimustes), Tartu Ülikool.
Anna Šugai
magistrikraad
Kaitstud
Ei
4.09.2006
2008
Vene
Процессы создания радиационных дефектов в кристаллах Al2O3 и SiO2 в условиях высокой плотности электронных возбуждений
Kiiritusdefektide tekitamise protsessid Al2O3 ja SiO2 kristallides elektronergastuste suurte tiheduste tingimustes
Processes of the creation, stabilization and annealing of radiation defects in Al2O3 ja SiO2 crystals under the conditions of high density of electronic excitations