See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Reactive dip-coating of P-type transparent semiconducting CuAlO2

Ali Saffarshamshirgar, magistrikraad, 2017, (juh) Irina Hussainova; Marina Aghayan, Reactive dip-coating of P-type transparent semiconducting CuAlO2 (P-TÜÜPI LÄBIPAISTVA POOLJUHI CuAlO2 REAKTIIVNE SUKELDUSPINDAMINE), Tallinna Tehnikaülikool, Inseneriteaduskond, Mehaanika ja tööstustehnika instituut.
Ali Saffarshamshirgar
magistrikraad
Kaitstud
Ei
1.09.2015
6.06.2017
2017
Inglise
Reactive dip-coating of P-type transparent semiconducting CuAlO2
P-TÜÜPI LÄBIPAISTVA POOLJUHI CuAlO2 REAKTIIVNE SUKELDUSPINDAMINE
Reactive dip-coating of P-type transparent semiconducting CuAlO2
ETIS klassifikaatorAlamvaldkondCERCS klassifikaator
4. Loodusteadused ja tehnika4.12. Protsessitehnoloogia ja materjaliteadusT153 Keraamilised materjalid ja -pulbrid
4. Loodusteadused ja tehnika4.11. Keemia ja keemiatehnikaP360 Anorgaaniline keemia