See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Atomic layer deposition of HfO2 - nucleation, growth and structure development of thin films

Raul Rammula, doktorikraad, 2011, (juh) Väino Sammelselg; Jaan Aarik, Atomic layer deposition of HfO2 - nucleation, growth and structure development of thin films (Hafniumoksiidi aatomkihtsadestamine - nukleatsioon, kasv, ja struktuuri muutused kiles), Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituut.
Raul Rammula
doktorikraad
Kaitstud
Ei
29.08.2005
26.08.2011
2011
Inglise
Atomic layer deposition of HfO2 - nucleation, growth and structure development of thin films
Hafniumoksiidi aatomkihtsadestamine - nukleatsioon, kasv, ja struktuuri muutused kiles
Atomic layer deposition of HfO2 - nucleation, growth and structure development of thin films
Institute of Physics, Faculty of Science and Technology, University of Tartu
ETIS klassifikaatorAlamvaldkondCERCS klassifikaator
4. Loodusteadused ja tehnika4.10. FüüsikaP250 Tahke aine: struktuur, termilised ja mehhaanilised omadused, kristallograafia, phase equilibria