Investigation of the Intermediate Layer in the Metal-Silicon Carbide Contact Obtained by Diffusion Welding

Natalja Sleptšuk, doktorikraad, 2011, (juh) Toomas Rang; Oleg Korolkov, Investigation of the Intermediate Layer in the Metal-Silicon Carbide Contact Obtained by Diffusion Welding (Difusioonkeevitusega valmistatud metalli ja ränikarbiidi vahelise üleminekuala vahekihi uurimine), Tallinna Tehnikaülikool, Infotehnoloogia teaduskond, Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut.
Natalja Sleptšuk
doktorikraad
Kaitstud
Ei
7.07.2005
3.06.2011
2011
Inglise
Investigation of the Intermediate Layer in the Metal-Silicon Carbide Contact Obtained by Diffusion Welding
Difusioonkeevitusega valmistatud metalli ja ränikarbiidi vahelise üleminekuala vahekihi uurimine
Investigation of the Intermediate Layer in the Metal-Silicon Carbide Contact Obtained by Diffusion Welding
ETIS klassifikaatorAlamvaldkondCERCS klassifikaator
4. Loodusteadused ja tehnika4.8. Elektrotehnika ja elektroonikaT170 Elektroonika