Tõnis Arroval

https://www.etis.ee/CV/Tõnis_Arroval/est
17.01.1985
+3725264845
tonis.arroval@ut.ee

Teenistuskäik

Töökohad ja ametid
01.09.2008–...   
Eesti Nanotehnoloogiate Arenduskeskuse AS , Projektijuht (1,00)
 
 
Haridustee
2009–2012   
Tartu Ülikool, Materjaliteadus, magister
2006–2008   
Tartu Ülikool, Majandus, bakalaureus
2003–2008   
Tartu Ülikool, Materjaliteadus, bakalaureus

Kvalifikatsioon

Teaduskraadid
Tõnis Arroval, magistrikraad, 2012, (juh) Jaan Aarik, Kasvutingimuste ja -aluste mõju TiO2 aatomkihtsadestumisele, Tartu Ülikool.
Tõnis Arroval, doktorant, (juh) Jaan Aarik, Thin films for nanodimensional memory structures: growth and crystallization in atomic layer deposition processes (Tahkisekiled nanomõõtmeliste mälustruktuuride jaoks: kasv ja kristalliseerumine aatomkihtsadestamisel), Tartu Ülikool.
 
 

Lõppenud projektid

Publikatsioonid

Klass
Aasta
Publikatsioon
 
1.1.
2015
Arroval, Tõnis; Aarik, Lauri; Rammula, Raul; Aarik, Jaan (2015). Growth of TixAl1−xOy films by atomic layer deposition using successive supply of metal precursors. Thin Solid Films, 591 (B), 276−284.10.1016/j.tsf.2015.03.014.
1.1.
2015
Sven Lange, Tõnis Arroval, Rando Saar, Ilmar Kink, Jaan Aarik, Andres Krumme (2015). Oxygen Barrier Properties of Al2O3- and TiO2-coated LDPE Films. Polymer-Plastics Technology and Engineering, 54 (3), 301−304.10.1080/03602559.2014.977426.
1.1.
2014
Kodu, M.; Arroval, T.; Avarmaa, T.; Jaaniso, R.; Kink, I.; Leinberg, S.; Savi, K.; Timusk, M. (2014). Effect of oxygen on active Al concentration in ZnO:Al thin films made by PLD. Applied Surface Science, 320, 756−763.10.1016/j.apsusc.2014.08.138.
1.1.
2014
Arroval, T.; Aarik, L.; Rammula, R.; Mändar, H.; Aarik, J.; Hudec, B.; Hušekova, K.; Fröhlich, K. (2014). Influence of growth temperature on the structure and electrical properties of high-permittivity TiO2 films in TiCl4-H2O and TiCl4-O3 atomic-layer-deposition processes. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science, 211 (2), 425−432.10.1002/pssa.201330086.
1.1.
2014
Jõgiaas, T.; Arroval, T.; Kollo, L.; Kozlova, J.; Käämbre, T.; Mändar, H.; Tamm, A.; Hussainova, I.; Kukli, K. (2014). Atomic layer deposition of alumina on γ-Al2O3 nanofibers. physica status solidi (a), 211 (2), 403−408.dx.doi.org/10.1002/pssa.201330083.
1.1.
2014
Aarik, Lauri; Arroval, Tõnis; Rammula, Raul; Mändar, Hugo; Sammelselg, Väino; Hudec, Boris; Hušeková, Kristína; Fröhlich, Karol; Aarik, Jaan (2014). Atomic layer deposition of high-quality Al2O3 and Al-doped TiO2 thin films from hydrogen-free precursors. Thin Solid Films, 565, 19−24.10.1016/j.tsf.2014.06.038.
5.2.
2014
Tamm, Aile; Kozlova, Jekaterina; Arroval, Tõnis; Ritslaid, Peeter; Kukli, Kaupo; Aarik, Jaan (2014). Atomic Layer Deposition and Characterization of Dysprosium-Doped Zirconium Oxide Thin Films. Baltic ALD 2014, 12-13 mai, 2014 Helsinki, Soome.
6.7.
2014
Jõgiaas, Taivo; Kozlova, Jekaterina; Arroval, Tõnis; Käämbre, Tanel; Mändar, Hugo; Kollo, Lauri; Tamm, Aile; Hussainova, Irina, Kukli, Kaupo (2014). Atomic Layer Deposition for Hard Nanocoatings. Baltic ALD 2014: Baltic ALD 2014 12th International Baltic Conference on Atomic Layer Deposition, May 12-13, 2014, Helsinki, Finland. 91−92.
1.1.
2013
Aarik, Jaan; Arroval, Tõnis; Aarik, Lauri; Rammula, Raul; Kasikov, Aarne; Mändar, Hugo; Hudec, Boris; Hus'ekova, Kristina; Fröhlich, Karol (2013). Atomic layer deposition of rutile phase TiO<sub>2</sub> on RuO<sub>2</sub> from TiCl<sub>4</sub> and O<sub>3</sub>: Growth of high-permittivity dielectrics with low leakage current. Journal of Crystal Growth, 382, 61−66.10.1016/jjcrystgro.2013.08.006.
1.1.
2013
Aarik, Lauri; Arroval, Tõnis; Rammula, Raul; Mändar, Hugo; Sammelselg, Väino; Aarik, Jaan (2013). Atomic layer deposition of TiO2 from TiCl4 and O3. Thin Solid Films, 542, 100−107.10.1016/j.tsf.2013.06.074.
3.1.
2013
Fröhlich, Karol; Hudec, Boris; Tapajna, Milan; Hušekova, Kristina; Rosova, Alica; Eliaš, Peter; Aarik, Jaan; Rammula, Raul; Kasikov, Aarne; Arroval, Tõnis; Aarik, Lauri; Murakami, Katsuhisa; Rommel, Mathias; Bauer, Anton J. (2013). TiO2-based Metal-Insulator-Metal Structures for Future DRAM Storage Capacities. ECS Transactions, 50 (13), 79−87.10.1149/05013.0079ecst.
6.7.
2013
Kozlova, Jekaterina; Arroval, Tõnis; Kollo, Lauri; Mändar, Hugo; Käämbre, Tanel; Tamm, Aile; Hussainova, Irina; Kukli, Kaupo (2013). Atomic layer deposition of Al2O3 on gamma-Al2O3 nanofibers.
14.05.2019
Detailne otsing
  • Leitud 7 kirjet
ProgrammLiikNumberNimiProjekti algusProjekti lõppVastutav täitjaAsutusFinantseerijapoolne rahastamine
IUTIUT2-24Kilestruktuurid nanoelektroonika rakendusteks ja funktsionaalseteks pinnakateteks01.01.201331.12.2018Väino SammelselgTartu Ülikool, Loodus- ja täppisteaduste valdkond, füüsika instituut2 688 000,00 EUR
ETFETF7845Nanomõõtmelised metall-dielektrik-struktuurid01.01.200931.12.2012Jaan AarikTartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituut; Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond65 680,38 EUR
MUUSLOFY10093EPaardunud spinnid grafeenis01.06.201030.09.2013Jaan AarikTartu Ülikool; Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituut191 699,99 EUR
SFSF0180046s07Pinnanähtused tahkisefüüsikas ja -tehnoloogias01.01.200731.12.2012Väino SammelselgTartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituut1 590 665,57 EUR
MUUSLOKT12180T (3.2.1101.12-0019)Süsinik-nanomaterjalide funktsionalisatsioon, süntees, karakteriseerimine ja rakendused01.04.201231.03.2015Enn LustTartu Ülikool438 035,50 EUR
MUUSLOFY12189T (2.1.1101.12-0006)Täiustatud materjalitehnoloogia GaAs-põhiste elektroonika seadiste valmistamiseks01.07.201231.12.2014Jaan AarikTartu Ülikool; Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond402 467,50 EUR
TKSLTKT16141T (TK141)Uudsed materjalid ja kõrgtehnoloogilised seadmed energia salvestamise ja muundamise süsteemidele (TK141)01.01.201601.03.2023Enn LustTartu Ülikool, Loodus- ja täppisteaduste valdkond3 293 473,70 EUR