Alma-Asta Kiisler

https://www.etis.ee/CV/Alma-Asta_Kiisler/est
6.03.1950
737 4665
alma-asta.kiisler@ut.ee

Teenistuskäik

Töökohad ja ametid
01.01.2008–31.12.2015   
Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituut, insener (1,00)
01.01.2002–31.12.2007   
Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituut, insener (1,00)
1973–2002   
Tartu Ülikool, Füüsika-keemiateaduskond, Eksperimentaalfüüsika ja tehnoloogia instituut, insener (1,00)
 
 
Haridustee
1968–1973   
Tartu Ülikool

Kvalifikatsioon

Teaduskraadid
Alma-Asta Kiisler, magistrikraad, 1973, (juh) Leonid Uibo, Dispergeeritud kvartsi mehaanilise aktivatsiooni uurimine, Tartu Riiklik Ülikool.
 
 

Lõppenud projektid

Publikatsioonid

Klass
Aasta
Publikatsioon
 
5.2.
2009
Kukli, K.; Aarik, J.; Aidla, A.; Ritala, M.; Jõgi, I.; Uustare, T.; Lu, J.; Kemell, M.; Kiisler, A-A.; Leskelä, M. (2009). ALD of Ruthenium Films from Cyclopentadienyl and Pyrrolyl Based Precursors. Book of abstracts: Baltic Conference on Atomic Layer Deposition 2009; Uppsala, Sweden; June 15-16, 2009. Sweden: Uppsala Universitet, 20.
5.2.
2008
Kukli, K.; Aarik, J.; Aidla, A.; Jõgi, I.; Kiisler, A.-A.; Mändar, H.; Uustare, T.; Ritala, M.; Leskelä, M. (2008). Atomic layer deposition of ruthenium thin films. ALD 2008, Book of Abstracts: 8th International Conference on Atomic Layer Deposition, June29-July2,2008,Bruges, Belgium. Belgium, WedM2A-5.
1.1.
2001
Kukli, K.; Aarik, J.; Aidla, A.; Forsgren, K.; Sundqvist, J.; Harsta, A.; Uustare, T.; Mandar, H.; Kiisler, AA. (2001). Atomic layer deposition of tantalum oxide thin films from iodide precursor. Chemistry of Materials, 13 (1), 122−128.
1.1.
2000
Schuisky, M.; Harsta, A.; Aidla, A.; Kukli, K.; Kiisler, AA.; Aarik, J. (2000). Atomic layer chemical vapor deposition of TiO2 - Low temperature epitaxy of rutile and anatase. Journal of the Electrochemical Society, 147 (9), 3319−3325.
1.1.
1999
Aarik, J.; Aidla, A.; Kiisler, AA.; Uustare, T.; Sammelselg, V. (1999). Influence of substrate temperature on atomic layer growth and properties of HfO2 thin films. Thin Solid Films, 340, 110−116.
1.1.
1997
Aarik, J.; Aidla, A.; Kiisler, AA.; Uustare, T.; Sammelselg, V. (1997). Effect of crystal structure on optical properties of TiO2 films grown by atomic layer deposition. Thin Solid Films, 305, 270−273.
3.2.
1993
Aarik, J.; Aidla, A.; Jaek, A.; Kiisler, A.-A. (1993). Time Delays in Flow-Type Atomic Layer Epitaxy Reactor. Труды по философии. Tartu Ülikooli toimetised, 964 (19), 21−28.
3.2.
1993
Aarik, J.; Aidla, A.; Jaek, A.; Kiisler, A.-A. (1993). On the Mechanism of Atomic Layer Deposition of Aluminium Oxide Films. Труды по философии. Tartu Ülikooli toimetised, 964 (19), 4−11.
1.1.
1990
Aarik, J.; Aidla, A.; Jaek, A.; Kiisler, AA.; Tammik, AA. (1990). Properties of amorphous al2o3 films grown by ale. Acta Polytechnica Scandinavica-Chemical Technology Series, 195, 201−208.
3.2.
1990
Aarik, J.; Aidla, A.; Jaek, A.; Kiisler, A.-A.; Tammik, A.-A. (1990). Properties of Amorphous Al2O3 Films Grown by ALE. In: Proceedings on electroluminescence. XVIII, Preparation and investigation of thin solid films (64−74).. Tartu: Tartu University. (Acta et commentationes Universitatis Tartuensis; 908).
3.2.
1990
Aarik, J.; Aidla, A.; Jaek, A.; Kiisler, A.-A. (1990). On the Mechanism of Film Formation by ALE from Compound Sources (II). In: Proceedings on electroluminescence. XVIII, Preparation and investigation of thin solid films (55−63).. Tartu: Tartu University. (Acta et commentationes Universitatis Tartuensis; 908).
5.2.
1990
Aarik, J.; Aidla, A.; Jaek, A.; Kiisler, A.; Tammik, A.-A. (1990). Properties of Amorphous Al2O3 Films Ggown by ALE. Programme and Abstracts: 1st International Symposium on Atomic Layer Epitaxy; Espoo/Helsinki, Finland; 13-15 June, 1990. _EditorsAbbr Niinistö, L.; Karlemo, T. P21.
5.2.
1989
Aarik, J.; Aidla, A.; Kiisler, A.-A.; Raichman, G.; Siimon, H.; Haav, A. (1989). O primenenii posloinoi atomnoi epitaksii v tehnologii izgotovlenija tonkoplenochnõh elektrolyuminestsiruyushchih struktur. Tezisõ dokladov: Rasshirennoe zasedanie sektsii elektrolyuminestsetsii Nauchnogo Soveta po lyuminestsentsii AN SSSR; Vilnyus; 26-29 sentyabrya, 1989. Vilnius, 69.
14.11.2019

Alma-Asta Kiisler

https://www.etis.ee/CV/Alma-Asta_Kiisler/eng
6.03.1950
737 4665
alma-asta.kiisler@ut.ee

Career

Institutions and positions
01.01.2008–31.12.2015   
University of Tartu, Faculty of Science and Technology (old), Institute of Physics, University of Tartu, Engineer (1,00)
01.01.2002–31.12.2007   
University of Tartu, Faculty of Science and Technology (old), Institute of Physics, University of Tartu, Engineer (1,00)
1973–2002   
University of Tartu, Faculty of Physics and Chemistry, Institute of Experimental Physics and Technology, engineer (1,00)
 
 
Education
1968–1973   
University of Tartu

Publications

Category
Year
Publication
 
5.2.
2009
Kukli, K.; Aarik, J.; Aidla, A.; Ritala, M.; Jõgi, I.; Uustare, T.; Lu, J.; Kemell, M.; Kiisler, A-A.; Leskelä, M. (2009). ALD of Ruthenium Films from Cyclopentadienyl and Pyrrolyl Based Precursors. Book of abstracts: Baltic Conference on Atomic Layer Deposition 2009; Uppsala, Sweden; June 15-16, 2009. Sweden: Uppsala Universitet, 20.
5.2.
2008
Kukli, K.; Aarik, J.; Aidla, A.; Jõgi, I.; Kiisler, A.-A.; Mändar, H.; Uustare, T.; Ritala, M.; Leskelä, M. (2008). Atomic layer deposition of ruthenium thin films. ALD 2008, Book of Abstracts: 8th International Conference on Atomic Layer Deposition, June29-July2,2008,Bruges, Belgium. Belgium, WedM2A-5.
1.1.
2001
Kukli, K.; Aarik, J.; Aidla, A.; Forsgren, K.; Sundqvist, J.; Harsta, A.; Uustare, T.; Mandar, H.; Kiisler, AA. (2001). Atomic layer deposition of tantalum oxide thin films from iodide precursor. Chemistry of Materials, 13 (1), 122−128.
1.1.
2000
Schuisky, M.; Harsta, A.; Aidla, A.; Kukli, K.; Kiisler, AA.; Aarik, J. (2000). Atomic layer chemical vapor deposition of TiO2 - Low temperature epitaxy of rutile and anatase. Journal of the Electrochemical Society, 147 (9), 3319−3325.
1.1.
1999
Aarik, J.; Aidla, A.; Kiisler, AA.; Uustare, T.; Sammelselg, V. (1999). Influence of substrate temperature on atomic layer growth and properties of HfO2 thin films. Thin Solid Films, 340, 110−116.
1.1.
1997
Aarik, J.; Aidla, A.; Kiisler, AA.; Uustare, T.; Sammelselg, V. (1997). Effect of crystal structure on optical properties of TiO2 films grown by atomic layer deposition. Thin Solid Films, 305, 270−273.
3.2.
1993
Aarik, J.; Aidla, A.; Jaek, A.; Kiisler, A.-A. (1993). Time Delays in Flow-Type Atomic Layer Epitaxy Reactor. Труды по философии. Tartu Ülikooli toimetised, 964 (19), 21−28.
3.2.
1993
Aarik, J.; Aidla, A.; Jaek, A.; Kiisler, A.-A. (1993). On the Mechanism of Atomic Layer Deposition of Aluminium Oxide Films. Труды по философии. Tartu Ülikooli toimetised, 964 (19), 4−11.
1.1.
1990
Aarik, J.; Aidla, A.; Jaek, A.; Kiisler, AA.; Tammik, AA. (1990). Properties of amorphous al2o3 films grown by ale. Acta Polytechnica Scandinavica-Chemical Technology Series, 195, 201−208.
3.2.
1990
Aarik, J.; Aidla, A.; Jaek, A.; Kiisler, A.-A.; Tammik, A.-A. (1990). Properties of Amorphous Al2O3 Films Grown by ALE. In: Proceedings on electroluminescence. XVIII, Preparation and investigation of thin solid films (64−74).. Tartu: Tartu University. (Acta et commentationes Universitatis Tartuensis; 908).
3.2.
1990
Aarik, J.; Aidla, A.; Jaek, A.; Kiisler, A.-A. (1990). On the Mechanism of Film Formation by ALE from Compound Sources (II). In: Proceedings on electroluminescence. XVIII, Preparation and investigation of thin solid films (55−63).. Tartu: Tartu University. (Acta et commentationes Universitatis Tartuensis; 908).
5.2.
1990
Aarik, J.; Aidla, A.; Jaek, A.; Kiisler, A.; Tammik, A.-A. (1990). Properties of Amorphous Al2O3 Films Ggown by ALE. Programme and Abstracts: 1st International Symposium on Atomic Layer Epitaxy; Espoo/Helsinki, Finland; 13-15 June, 1990. _EditorsAbbr Niinistö, L.; Karlemo, T. P21.
5.2.
1989
Aarik, J.; Aidla, A.; Kiisler, A.-A.; Raichman, G.; Siimon, H.; Haav, A. (1989). O primenenii posloinoi atomnoi epitaksii v tehnologii izgotovlenija tonkoplenochnõh elektrolyuminestsiruyushchih struktur. Tezisõ dokladov: Rasshirennoe zasedanie sektsii elektrolyuminestsetsii Nauchnogo Soveta po lyuminestsentsii AN SSSR; Vilnyus; 26-29 sentyabrya, 1989. Vilnius, 69.
14.11.2019
Detailne otsing
  • Leitud 7 kirjet
ProgrammLiikNumberNimiProjekti algusProjekti lõppVastutav täitjaAsutusFinantseerijapoolne rahastamine
1.2.3.4.MLTFY16096RGrafeenil põhinevad murrangulised tehnoloogiad01.04.201631.03.2018Harry AllesTartu Ülikool, Loodus- ja täppisteaduste valdkond, füüsika instituut356 650,00 EUR
MTTMTT1Grafeenil põhinevate nanostruktuuride valmistamine, töötlemine ja karakteriseerimine01.03.200928.02.2014Harry AllesTartu Ülikool; Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituut479 337,36 EUR
1.2.3.4.MLTFY18092RGraphene Flagship Core Project 201.04.201831.03.2020Raivo JaanisoTartu Ülikool, Loodus- ja täppisteaduste valdkond, füüsika instituut218 000,00 EUR
IUTIUT2-24Kilestruktuurid nanoelektroonika rakendusteks ja funktsionaalseteks pinnakateteks01.01.201331.12.2018Väino SammelselgTartu Ülikool, Loodus- ja täppisteaduste valdkond, füüsika instituut2 688 000,00 EUR
MUUSLOFY12164T (3.2.1101.12-0026)Metalli pindasid funktsionaliseerivad ja kaitsvad õhukesed nanomaterjalidest pinnakatted01.07.201231.12.2014Väino SammelselgTartu Ülikool406 915,50 EUR
SFSF0382149s02Nanostruktuursed materjalid01.01.200231.12.2006Arnold RosentalTartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituut792 696,19 EUR
TKSLTKT16141T (TK141)Uudsed materjalid ja kõrgtehnoloogilised seadmed energia salvestamise ja muundamise süsteemidele (TK141)01.01.201601.03.2023Enn LustTartu Ülikool, Loodus- ja täppisteaduste valdkond3 293 473,70 EUR