"Eesti Teadusfondi uurimistoetus" projekt ETF5727
ETF5727 "Süsteemi Si-SiO2 punktdefektide identifitseerimine ja nende mõju uurimine süsteemi omadustele (1.01.2004−31.12.2006)", Daniel Kropman, Tondi Elektroonika AS.
ETF5727
Süsteemi Si-SiO2 punktdefektide identifitseerimine ja nende mõju uurimine süsteemi omadustele
Point defects identification in the Si-SiO2 system and investigation of it influence on the system properties.
1.01.2004
31.12.2006
Teadus- ja arendusprojekt
Eesti Teadusfondi uurimistoetus
ETIS klassifikaatorAlamvaldkondCERCS klassifikaatorFrascati Manual’i klassifikaatorProtsent
4. Loodusteadused ja tehnika4.10. Füüsika 1.2. Füüsikateadused (astronoomia ja kosmoseteadus, füüsika ja teised seotud teadused)50,0
4. Loodusteadused ja tehnika4.12. Protsessitehnoloogia ja materjaliteadus 2.3. Teised tehnika- ja inseneriteadused (keemiatehnika, lennundustehnika, mehaanika, metallurgia, materjaliteadus ning teised seotud erialad: puidutehnoloogia, geodeesia, tööstuskeemia, toiduainete tehnoloogia, süsteemianalüüs, metallurgia, mäendus, tekstiilitehnoloogia ja teised seotud teadused).50,0
AsutusRollPeriood
Tondi Elektroonika ASkoordinaator01.01.2004−31.12.2006
PerioodSumma
01.01.2004−31.12.200430 000,00 EEK (1 917,35 EUR)
01.01.2005−31.12.200528 235,29 EEK (1 804,56 EUR)
01.01.2006−31.12.200628 800,00 EEK (1 840,66 EUR)
5 562,57 EUR

Süsteemi Si-SiO2 punktdefektide ja nende interaktsiooni uurimine. Punktdefektide poolt süsteemi omadustele avaldatava mõju väljaselgitamine.Saadud tulemuste alusel süsteemi Si-SiO2 valmistamise tehnoloogia optimeerimine. Oodatav tulemus: Integraalskeemide lekkevoolude ja mürade vähendamine, parameetrite stabiilsuse tõus.
Investigation of the point defects in the Si-SiO2 system.Determination of their nature.Examination of their influence on the properties of the Si-SiO2 system.Improoving of the tecnology of Si-SiO2 system fabrication.Assumed results.increase of the reliability of the parameters of integrated circuit elements....