See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus
"Eesti Teadusfondi uurimistoetus" projekt ETF5891
ETF5891 (ETF5891) "Kõrgtemperatuurse rekristallisatsiooniprotsessi uurimine päikeseelemendis kasutatavas CdTe absorberkihis (1.01.2004−31.12.2006)", Valdek Mikli, Tallinna Tehnikaülikool, Keemia ja materjalitehnoloogia teaduskond.
ETF5891
Kõrgtemperatuurse rekristallisatsiooniprotsessi uurimine päikeseelemendis kasutatavas CdTe absorberkihis
Investigation of high temperature recrystallization processes in CdTe absorber layer for solar cell application
1.01.2004
31.12.2006
Teadus- ja arendusprojekt
Eesti Teadusfondi uurimistoetus
ValdkondAlamvaldkondCERCS erialaFrascati Manual’i erialaProtsent
4. Loodusteadused ja tehnika4.12. Protsessitehnoloogia ja materjaliteadusT480 Muude toodete tehnoloogia2.3. Teised tehnika- ja inseneriteadused (keemiatehnika, lennundustehnika, mehaanika, metallurgia, materjaliteadus ning teised seotud erialad: puidutehnoloogia, geodeesia, tööstuskeemia, toiduainete tehnoloogia, süsteemianalüüs, metallurgia, mäendus, tekstiilitehnoloogia ja teised seotud teadused).100,0
PerioodSumma
01.01.2004−31.12.200470 000,00 EEK (4 473,82 EUR)
01.01.2005−31.12.200574 117,65 EEK (4 736,98 EUR)
01.01.2006−31.12.200675 600,00 EEK (4 831,72 EUR)
14 042,52 EUR

Tänapäeval on õhukestest kiledest valmistatud päikeseelementide üheks peamiseks puuduseks elementides kasutatava päikeseenergia absorberkihi struktuuri ebatäiuslikkus. Sellega kaasneb lõpptootena valmistatud päikeseelemendi madal efektiivsus ja kasutegur. Suur osa genereeritud laengukandjatest neelatakse polükristalse kile nanomõõtmeliste kristalliitide teraäärtel ning kiledes olevate ebasoovitavate lisandite poolt. Üheks peamiseks kilede kristalliitide kasvatamise ja lisanditest vabanemise võimaluseks on rekristallisatsioon. Antud projekti raames on plaanis läbi viia CdTe kilede rekristallisatsiooniuuringud. Kilesid on plaanis rekristalliseerida kolme erineva põhimõtte järgi: rekristallisatsioon vedela faasi juuresolekul; rekristallisatsioon tahkes faasis kõrgel temperatuuril (0,75-0,85 sulamistemperatuurist); rekristallisatsioon tahkes faasis kõrgel temperatuuril ja rõhul. Uurimuse tulemuseks on oluliselt paremate optoelektroonsete omadustega fotoelemendi valmistamine. Saadavad tulemused on olulised ka õhukeste kilede rekristallisatsiooni iseloomu kirjeldamiseks. Positiivsete tulemuste korral on saadud teadmisi plaanis rakendada ka teistsuguse koostisega kilede (nt. CuInS2) kristalliitide kasvatamiseks.
Today, one of the main disadvantages of thin film solar cells are the imperfections in the structure of absorber layer. They causes low efficiency and reliability of produced solar cells. Large amount of the generated carriers are absorbed by the nanosize structure defects, impurities and pores. One of the main ways to improve the structure of the film's crystals and reduce the concentration of impurities is the recrystallization of the films structure. In the present project the recrystallization of CdTe thin film is planned to study by three different principles: recrystallization process in the presence of liquid phase (low temperature recrystallization: 0,3-0,6 of Tm -melting temperature); recrystallization in the solid phase at high temperature (0,75-0,85 Tm); recrystallization in the solid phase at high temperature and high pressure. The main goal of the investigation is preparation of solar cells with significantly improved optical and electrical properties. Obtained results are important for understanding of recrystallization processes in the thin films. Owning the positive results, the high temperature recrystallization is planned to apply for the thin films for other compositions like CuInS2.