See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus
"Personaalne uurimistoetus" projekt PUT1372
PUT1372 "Vaakumkaarte tekkemehhanismid kõrgetes elektriväljades (1.01.2017−31.12.2020)", Vahur Zadin, Tartu Ülikool, Loodus- ja täppisteaduste valdkond, tehnoloogiainstituut.
PUT1372
Vaakumkaarte tekkemehhanismid kõrgetes elektriväljades
Mechanisms of vacuum arching in high electric field systems
1.01.2017
31.12.2020
Teadus- ja arendusprojekt
Personaalne uurimistoetus
Otsinguprojekt
ETIS klassifikaatorAlamvaldkondCERCS klassifikaatorFrascati Manual’i klassifikaatorProtsent
4. Loodusteadused ja tehnika4.10. FüüsikaP230 Aatomi- ja molekulaarfüüsika 50,0
4. Loodusteadused ja tehnika4.10. FüüsikaP250 Tahke aine: struktuur, termilised ja mehhaanilised omadused, kristallograafia, phase equilibria50,0
PerioodSumma
01.01.2017−31.12.201751 600,00 EUR
01.01.2018−31.12.201851 600,00 EUR
01.01.2019−31.12.201951 600,00 EUR
01.01.2020−31.12.202051 600,00 EUR
206 400,00 EUR

Paljud kõrgeid elektrivälju kasutavad rakenudsed on mõjutatud vaakumkaarte e. elektriliste läbilöökide poolt. Elektrilised läbilöögid kahandavad seadmete efektiivsust, eluiga ja vähendavad võimalikku võimsust. Elektriliste läbilöökide tekkepõhjuseks peetakse spontaanselt tekkivad nanoskaalas väljaemittreid. Selliseid emittreid ei ole aga keegi siiani eksperimentaalselt avastanud. Meie poolt välja pakutud uurimustöös rakendame multiskaala arvutisimulatsioone koos reaalajas in situ SEM ja TEM eksperimentidega, mõistmaks selliste väljaemitritte tekkepõhjuseid. Selle tulemusena on võimalik oluliselt parandada kõrgeid elektrivälju rakendavate seadmete töövõimet, võimsust ning vähendada nende suurust.
Many applications, utilizing strong RF fields have limited performance, efficiency or lifetime due to vacuum aching, taking place in RF cavities. The vacuum arches are believed to be initiated by spontaneously appearing nanoscale field emitters. However, such emitters are not yet observed experimentally. We propose a study utilizing multiscale computational methods and real time in situ SEM and TEM experiments to understand the mechanisms behind the growth of such field emitters.If the mechanisms of field emitter generation are understood, significant improvement of performance, size and power in future RF devices can be obtained.