"Eesti Teadusfondi uurimistoetus" projekt ETF5917
ETF5917 (ETF5917) "Metall-SiC kontaktkihi struktuuridefektide uurimine (1.01.2004−31.12.2006)", Mart Viljus, Tallinna Tehnikaülikool, Keemia ja materjalitehnoloogia teaduskond.
ETF5917
Metall-SiC kontaktkihi struktuuridefektide uurimine
Investigation of the Structure Defects of Metal-SiC Contact Layer
1.01.2004
31.12.2006
Teadus- ja arendusprojekt
Eesti Teadusfondi uurimistoetus
ETIS klassifikaatorAlamvaldkondCERCS klassifikaatorFrascati Manual’i klassifikaatorProtsent
4. Loodusteadused ja tehnika4.12. Protsessitehnoloogia ja materjaliteadusT480 Muude toodete tehnoloogia2.3. Teised tehnika- ja inseneriteadused (keemiatehnika, lennundustehnika, mehaanika, metallurgia, materjaliteadus ning teised seotud erialad: puidutehnoloogia, geodeesia, tööstuskeemia, toiduainete tehnoloogia, süsteemianalüüs, metallurgia, mäendus, tekstiilitehnoloogia ja teised seotud teadused).50,0
4. Loodusteadused ja tehnika4.7. Info- ja kommunikatsioonitehnoloogiaT181 Kaugseire2.2. Elektroenergeetika, elektroonika (elektroenergeetika, elektroonika, sidetehnika, arvutitehnika ja teised seotud teadused)50,0
PerioodSumma
01.01.2004−31.12.200470 000,00 EEK (4 473,82 EUR)
01.01.2005−31.12.200569 882,35 EEK (4 466,30 EUR)
01.01.2006−31.12.200671 280,00 EEK (4 555,62 EUR)
13 495,74 EUR

Projekti üldiseks eesmärgiks on Shottky dioodiga kontaktide omaduste parandamine. Traditsiooniliselt saadakse kontakt metalli pealeaurustamise teel pooljuhi pinnale. Sel meetodil saadav metallikiht on väga õhuke (nanomeetrite suurusjärgus), mis omakorda seab näivtakistuse (impedantsi) tõttu piirangud kontakti läbivale voolule. Üheks lahenduseks on kasutada pealeaurustamise asemel metalli ja pooljuhi difusioonkeevitust. Meetod võimaldab oluliselt suuremaid voolutugevusi, kuid tal on ka omad piirangud, mis tulenevad paljuski difusioonipiirkonnas (kontaktkihis) tekkivatest struktuuridefektidest. Projekti sisuks ongi nende defektide uurimine erinevate meetoditega (TEM, AFM, STM). Projekti eeldatavaks tulemuseks on difusioonkeevituse tehnoloogia optimeerimine struktuuridefektide vähendamise eesmärgil.
The main goal of the project is improvement of the properties of the contacts with Shottky diode. Sputtering of the metal to the surface of the semiconductor is the most traditional way to make such contacts. The very small thickness of the metal layer (in the order of nanometres) acts as a limiting factor to the electrical current because of impedance. One solution is to replace the metal sputtering technique with metal-semiconductor difusion welding. This method enables much higher electrical currents, but has indeed some drawbacks, mainly because of structural defects in the difusion area (contact layer). The subject of the project is investigation of these structural defects by the means of various methods (TEM, AFM, STM). The presumed result of the project includes optimisation of the diffusion welding techniqe in order to decrease the structural defects.