See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus
"Muu" projekt BF110
BF110 "Kõrgepingelistel IGBT transistoridel põhineva kolmetasandilise vaheldi katseseade (1.09.2008−31.12.2008)", Dmitri Vinnikov, Tallinna Tehnikaülikool, Tallinna Tehnikaülikool, Energeetikateaduskond, Elektrotehnika instituut, Elektriajamite ja elektrivarustuse õppetool.
BF110
Kõrgepingelistel IGBT transistoridel põhineva kolmetasandilise vaheldi katseseade
Experimental setup of a high-voltage IGBT-based three-level inverter
Kõrgepingelistel IGBT transistoridel põhineva kolmetasandilise vaheldi katseseade
1.09.2008
31.12.2008
Teadus- ja arendusprojekt
Muu
ValdkondAlamvaldkondCERCS erialaFrascati Manual’i erialaProtsent
4. Loodusteadused ja tehnika4.8. Elektrotehnika ja elektroonikaT190 Elektrotehnika 2.2. Elektroenergeetika, elektroonika (elektroenergeetika, elektroonika, sidetehnika, arvutitehnika ja teised seotud teadused)100,0
AsutusRiikTüüp
Tallinna Tehnikaülikool
PerioodSumma
01.09.2008−31.12.200897 500,00 EEK (6 231,39 EUR)
6 231,39 EUR
HTM baasfinantseerimine

Projekti põhieesmärk on tuua Eestisse vajalik oskusteave kasutamiseks TTÜ teadus- ja arendustöös. Projekti konkreetsed eesmärgid: • uurida kolmetasandilise kõrgepingelistel IGBT transistoridel põhineva poolsild-vaheldi projekteerimisprobleeme, juhtimis-, kaitse- ja diagnostikaalgoritme; • uurida viimase põlvkonna 3,3 kV IGBT moodulite jahutusprobleeme ja -meetodeid; • töötada välja kaasaegne state of the art patenteeritav lahendus; • täiendkoolitada projektiga seotud doktorante ning tõsta nende kvalifikatsiooni antud alal; • pakkuda konkurentsi teistele teadusasutustele ja tööstusettevõtetele Euroopas ning maailmas. Projekti tulemusena töötati välja viimase põlvkonna IGBT-del põhinevate muundurite projekteerimismetoodika ning kolmetasandilise poolsild-vaheldi lihtsustatud juhtimis-, kaitse- ja diagnostikaalgoritmid. Ehitati kolmetasandilise vaheldi katseseade. Võrreldes kahetasandilise vaheldiga vähenes komponentide arv juhtimissüsteemis, lihtsustus juhtimisprogramm, vaheldi kaod vähenesid 30 %. Seadme katsetused toimuvad koostöös AS Estel Elektro´ga. Seadmele on väljastatud kasuliku mudeli tunnistus.
The main aim is to acquire the required knowhow to be implemented in Estonia and in TUT’s research and development work. Aims of the project are to • study design problems, control, protection and diagnostics algorithms of three-level high-voltage high-voltage IGBT-based half-bridge inverter; • study cooling problems and methods of last generation 3.3 kV IGBT modules; • develop a modern state-of-the-art patentable solution; • provide project-related training courses to the doctoral students and enhance their competence in that area; • provide competitve advantage to other research institutions and industrial enterprises in Europe and worldwide. As a result of the project, design methods for last generation IGBT-based converters and simplified control, protection and diagnostics algorithms for three-level half-bridge inverter were developed. An experimental setup of a three-level inverter was built. In contrast to a two-level topology, the number of components in the control system was reduced, the control program was simplified, losses were reduced by 30%. The setup is tested in collaboration with AS Estel Elektro. The setup was granted the certificate of a useful model.
TegevusProtsent
Rakendusuuring100,0