See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus
"Eesti Teadusfondi uurimistoetus" projekt ETF5911
ETF5911 (ETF5911) "Anisotroopsete elektriliste ja termoelektriliste mudelite ning seadisesimulaatorite väljatöötamine perpektiivsetele laia keelutsooniga pooljuhtidele SiC ja GaN (1.01.2004−31.12.2006)", Andres Udal, Tallinna Tehnikaülikool, Infotehnoloogia teaduskond.
ETF5911
Anisotroopsete elektriliste ja termoelektriliste mudelite ning seadisesimulaatorite väljatöötamine perpektiivsetele laia keelutsooniga pooljuhtidele SiC ja GaN
Development of anisotropic electrical and thermoelectric parameter models and device simulators for novel wide band gap semiconductors SiC and GaN
1.01.2004
31.12.2006
Teadus- ja arendusprojekt
Eesti Teadusfondi uurimistoetus
ETIS klassifikaatorAlamvaldkondCERCS klassifikaatorFrascati Manual’i klassifikaatorProtsent
4. Loodusteadused ja tehnika4.8. Elektrotehnika ja elektroonikaT200 Soojustehnika, rakenduslik termodünaamika 2.2. Elektroenergeetika, elektroonika (elektroenergeetika, elektroonika, sidetehnika, arvutitehnika ja teised seotud teadused)100,0
PerioodSumma
01.01.2005−31.12.2005111 058,82 EEK (7 097,95 EUR)
01.01.2004−31.12.2004115 000,00 EEK (7 349,84 EUR)
01.01.2006−31.12.2006113 280,00 EEK (7 239,91 EUR)
21 687,70 EUR

Põhieesmärgid ja oodatavad tulemused: 1. Mitmete ebapiisavalt läbiuuritud elektriliste, termoelektriliste ja termiliste parameetrite mudelite väljatöötamine perspektiivsetele laia keelutsooniga pooljuhtidele SiC, GaN jt. (C - teemant). 2. Koostöö kindlustamine Stockholmi ja Vilniuse uurimisgruppide ja teiste Euroopa 6. raamprogrammi kompetentsusvõrgustiku SICWISE partneritega. 3. Doktori- ja magistriõppe edukuse kindlustamine. 4. Ühe- ja kahemõõtmeliste mitteisotermiliste pooljuhtseadiste simulaatorite DYNAMIT-1DT,2DT edasiarendamine kasutamaks neid baastöövahenditena uute perspektiivsete pooljuhtseadistega seotud uuringutes, õppetöös ja seadiste projekteerimises. Konkreetsemad teaduslikud ülesanded: 1. Täpsustatud materjaliparameetrite mudelite ja seadisesimulaatorite laiendatud versioonide väljatöötamine GaN jaoks, lähtudes varem SiC ja GaAs osas omandatud kogemustest. 2. Foononkaasahaaramisefekti, Seebecki teguri, soojusjuhtivuse, laengukandjate liikuvuste jm. parameetrite teoreetiliste mudelite täpsustamine ja üldistamine, arvestades protsesside anisotroopiat, kristallvõre mitteideaalsust ja lisandeid. 3. Foononkaasahaaramisefektist põhjustatud madaltemperatuurse termoeletrilise efektiivsuse kasvu näitamine SiC jt. uuritavate pooljuhtide jaoks. 4. Rekombinatsioonkiirguse tagasineeldumisefekti (laengukandjate footontransporti) sisaldava simulaatori väljatöötamine GaN jaoks ja selle efekti mõju uurimine reaalsete seadisestruktuuride puhul. 5. Doktoriväitekirja (M.Milatškov - foononkaasahaaramisefekt ja Seebecki tegur) ning magistriväitekirjade (I.Verbitski - GaN simulaator footontranspordiga ja A.Kuusk - materjaliparameetrite ab initio simulatsioonid) uuringute edukas läbiviimine.
General goals: 1. Development of electrical, thermoelectrical and thermal material parameter models for perspective wide band gap semiconductors as SiC, GaN, C (diamond) etc. 2. Supporting of cooperation with Stockholm and Vilnius research groups and other partners of European 6th Framework Programme Network of Excellence SICWISE. 3. Confirming of doctoral and master research high standard. 4. Further development of one- and two-dimensional nonisothermal device simulators DYNAMIT-1DT,2DT to be applied as the basic tools for new perspective device research, device design and student training. More detailed task description: 1. Development of sophisticated material parameter models and generalized device simulator versions for GaN on the basis of knowhow, obtained from earlier SiC and GaAs studies. 2. Generalization and development of theoretical models of phonon drag effect, Seebeck coefficient, heat conductivity, carrier mobilities and other material parameters, taking into account material anisotropy, crystal lattice nonideality and impurities. 3. Study of possible high thermoelectric efficiency of SiC (and other high heat conductivity materials) at low temperatures due to the phonon drag effect. 4. Development of GaN simulator including the recombination radiation reabsorption phenomenon (carrier radiation transport). Study of the influence of that effect in the case of realistic devices. 5. Successful completing of postgraduate studies (Ph.D. thesis of M.Milatškov on the phonon drag Seebeck coefficient models and M.S. theses of I.Verbitski and A.Kuusk on GaN photon recycling and ab initio material simulations).