"Sihtfinantseerimine" projekt SF0182134s02
SF0182134s02 (SF0182134s02) "Laia keelutsooniga dielektriliste ja optiliste materjalide süntees ja füüsikalised omadused (1.01.2002−31.12.2006)", Lembit Pung, Tartu Ülikool, Füüsika-keemiateaduskond.
SF0182134s02
Laia keelutsooniga dielektriliste ja optiliste materjalide süntees ja füüsikalised omadused
Synthesis and physical properties of wide band-gap dielectric and optical materials
1.01.2002
31.12.2006
Teadus- ja arendusprojekt
Sihtfinantseerimine
ETIS klassifikaatorAlamvaldkondCERCS klassifikaatorFrascati Manual’i klassifikaatorProtsent
4. Loodusteadused ja tehnika4.10. FüüsikaP250 Tahke aine: struktuur, termilised ja mehhaanilised omadused, kristallograafia, phase equilibria1.2. Füüsikateadused (astronoomia ja kosmoseteadus, füüsika ja teised seotud teadused)100,0
AsutusRollPeriood
Tartu Ülikool, Füüsika-keemiateaduskondkoordinaator01.01.2002−31.12.2006
PerioodSumma
01.01.2002−31.12.2002535 000,00 EEK (34 192,73 EUR)
01.01.2003−31.12.2003530 000,00 EEK (33 873,17 EUR)
01.01.2004−31.12.2004675 000,00 EEK (43 140,36 EUR)
01.01.2005−31.12.2005870 000,00 EEK (55 603,13 EUR)
01.01.2006−31.12.2006895 000,00 EEK (57 200,93 EUR)
224 010,32 EUR

Uurimistöö. on suunatud laia keelutsooniga metalloksiid- ja sulfiidmaterjalide ja nende kihtide sünteesile ja füüsikaliste omaduste analüüsile. Uusi dielektrilisi materjale otsitakse pooljuhtide tööstuses eesmärgiga asendada metall-oksiid-pooljuht (MOP) struktuurides ning mälukondensaatorites konventsionaalne SiOz dielektrikkiht kõrgema läbitavusega materjaliga, saavutamaks kõrgem mahtuvustihedus ning vähendamaks kiibi mõõtmeid. Eeldatavalt on parimaid tulemusi võimalik saavutada amorfseid materjale kasvatades, milles puuduvad pindjuhtivad kristalliidid. Teiseks võimaluseks on epitaksiaalsed monokristallilised kihid, mille tihedus on kõrgeim võimalikest ja piirpind substraadiga suhteliselt defektivaba. Oluline on leida materjale. mis oleksid piisavalt inertsed, et vältida parasiitsete määramatu keemilise koostisega vahekihtide moodustumist mitmekihilistes struktuurides. Sellel eesmärgil on uuritud vastavate omadustega materjalide saamist aatomkihtsadestusmeetodil. Aktuaalseteks objektideks on erineva paksusega TiOz, Alz03, Nb2Os, Ta2Os, HfOz, ZrO2 üliõhukesed kihid ning nende kombinatsioonid Nb-Al-0, Nb-Ta-O eri materjalist substraatidel. Antud teemas jätkub kaasaegsetes elektroonikaseadmetes kasutatavate CaS, ZnS, SrS ja ZnO võredefektide tekkemehhanismide, struktuuri ja termiliste omaduste uurimine ülimadalatel temperatuuridel.
.