"Muu" projekt SLOFY10093E
SLOFY10093E "Paardunud spinnid grafeenis (1.06.2010−30.09.2013)", Jaan Aarik, Tartu Ülikool, Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituut.
SLOFY10093E
Paardunud spinnid grafeenis
Entangled spin pairs in graphene (ENTS)
Paardunud spinnid grafeenis
1.06.2010
30.09.2013
Teadus- ja arendusprojekt
Muu
ETIS klassifikaatorAlamvaldkondCERCS klassifikaatorFrascati Manual’i klassifikaatorProtsent
4. Loodusteadused ja tehnika4.10. FüüsikaP260 Tahke aine: elektrooniline struktuur, elektrilised, magneetilised ja optilised omadused, ülijuhtivus, magnetresonants, spektroskoopia1.2. Füüsikateadused (astronoomia ja kosmoseteadus, füüsika ja teised seotud teadused)30,0
4. Loodusteadused ja tehnika4.12. Protsessitehnoloogia ja materjaliteadusT150 Materjalitehnoloogia2.3. Teised tehnika- ja inseneriteadused (keemiatehnika, lennundustehnika, mehaanika, metallurgia, materjaliteadus ning teised seotud erialad: puidutehnoloogia, geodeesia, tööstuskeemia, toiduainete tehnoloogia, süsteemianalüüs, metallurgia, mäendus, tekstiilitehnoloogia ja teised seotud teadused).70,0
AsutusRiikTüüp
Sihtasutus Eesti Teadusfond
PerioodSumma
01.06.2010−30.09.20132 999 453,00 EEK (191 699,99 EUR)
191 699,99 EUR
Eurocores/EuroGraphene

Projekt moodustab ühe osa ühisuuringutest, milles osalevad Aalto Ülikool, Genfi Ülikool, Baseli Ülikool, Tartu Ülikool, Leideni Ülikool ja Würzburgi Ülikool ja mille eesmärgiks on tekitada, uurida ja juhtida koherentse spinniga elektronseisundeid grafeenis. Tartu Ülikooli uurimisrühma ülesandeks on töötada välja ja arendada edasi tehnoloogiaid spinnitndlike tunnelsiirete valmistamiseks ja ferromagnetiliste materjalide sadestamiseks grafeenile kasutades selleks aatomkihtsadestamise meetodit ja/või kombineerides seda meetodit elektronkiiraurustamise meetodiga. Uuringute põhirõhk on suunatud dielektrikute kasvu algfaasi uuringutele keemiliselt inertsetel pindadel, et töötada välja meetodid, mis lubaksid valmistada grafeeni pinnale homogeenseid, ühtlase paksusegaja defektivabu dielektrikukihte, mille paksus jääb vahemikku 0.5-10 nm. Ühtlasi uuritakse võimalusi nii dielektrikute kui ka ferromagnetiliste materjalide selektiivseks sadestamiseks.Töö käigus arendatakse edasi meetodeid materjali omaduste analüüsiks üliõhukestes kihtides.
The studies will be performed within a collaborative research project of Aalto University, University of Geneva, Basel Unversity, University of Tartu, Leiden University and University of Würzburg. The general goal of the collaborative research is to generate, investigate and manipulate spin-coherent single-electron and paired electron states in graphene. The goal of the research group of the University of Tartu is to develop and advance methods for preperation of spin-dependent tunnel junctions and ferrromagnetic materials on graphene using atomic layer depostion method and/or combining this method with electron-beam deposition technique. The studies are focussed on the investigation of the initial growth stage of dielectrics on chemically inert surfaces in order to prepare homegeneous defect-free films with a thickness of 0.5-10 nm on graphene. In addition, possibilities for selective deposition of dielectrics as well as ferromagnetic materials on graphene will be explored. Within the project, methods for characterization of material properties in ultrathin layers will be advanced.
KirjeldusProtsent
Alusuuring80,0
Rakendusuuring20,0