See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus
"Muu" projekt 038L
038L "GaAs baseeruvate pingekordistite väljatöötamine" (1.11.2000−31.12.2005); Vastutav täitja: Toomas Rang; Tallinna Tehnikaülikool (partner), Tallinna Tehnikaülikool, Infotehnoloogia teaduskond, Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut, Elektroonikadisaini õppetool (partner); Finantseerija: Clifton Electronic AS; Eraldatud summa: 20 771 EUR.
038L
GaAs baseeruvate pingekordistite väljatöötamine
Development of GaAs based rectifying stacks
GaAs baseeruvate pingekordistite väljatöötamine
1.11.2000
31.12.2005
Teadus- ja arendusprojekt
Muu
muu - > siseriiklik leping
ETIS klassifikaatorAlamvaldkondCERCS klassifikaatorFrascati Manual’i klassifikaatorProtsent
4. Loodusteadused ja tehnika4.8. Elektrotehnika ja elektroonikaT170 Elektroonika 2.2. Elektroenergeetika, elektroonika (elektroenergeetika, elektroonika, sidetehnika, arvutitehnika ja teised seotud teadused)35,0
4. Loodusteadused ja tehnika4.12. Protsessitehnoloogia ja materjaliteadusT155 Pinded ja pinnatehnoloogia2.3. Teised tehnika- ja inseneriteadused (keemiatehnika, lennundustehnika, mehaanika, metallurgia, materjaliteadus ning teised seotud erialad: puidutehnoloogia, geodeesia, tööstuskeemia, toiduainete tehnoloogia, süsteemianalüüs, metallurgia, mäendus, tekstiilitehnoloogia ja teised seotud teadused).35,0
4. Loodusteadused ja tehnika4.8. Elektrotehnika ja elektroonikaT190 Elektrotehnika 2.2. Elektroenergeetika, elektroonika (elektroenergeetika, elektroonika, sidetehnika, arvutitehnika ja teised seotud teadused)30,0
AsutusRiikTüüp
Clifton Electronic AS
PerioodSumma
01.11.2000−31.12.2005325 000,00 EEK (20 771,29 EUR)
20 771,29 EUR

Arendusuuringu sisuks on epitaksiaaltehnoloogias valmistatud GaAs dioodstruktuuridel pohinevate vertikaalkompositsiooniga korgepingeliste pingekordistite katseeksemplaride valmistamistehnoloogia metalliseerimismenetluse loomine difusioonkeevituse baasil.
Development of a diffusion welding metallization technology for GaAs epitaxial diode structure based vertical rectifying stacks.
KirjeldusProtsent
Rakendusuuring100,0