"Sihtfinantseerimine" projekt SF0180042s07
SF0180042s07 "Infotehnoloogiliste ja nanoelektrooniliste rakendustega tahkiskihtstruktuurid (1.01.2007−31.12.2012)", Kaupo Kukli, Tartu Ülikool, Füüsika-keemiateaduskond, Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituut, Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond.
SF0180042s07
Infotehnoloogiliste ja nanoelektrooniliste rakendustega tahkiskihtstruktuurid
Layered structures of solid films for information technology and nanoelectronics
1.01.2007
31.12.2012
Teadus- ja arendusprojekt
Sihtfinantseerimine
ETIS klassifikaatorAlamvaldkondCERCS klassifikaatorFrascati Manual’i klassifikaatorProtsent
4. Loodusteadused ja tehnika4.10. FüüsikaP260 Tahke aine: elektrooniline struktuur, elektrilised, magneetilised ja optilised omadused, ülijuhtivus, magnetresonants, spektroskoopia1.2. Füüsikateadused (astronoomia ja kosmoseteadus, füüsika ja teised seotud teadused)70,0
4. Loodusteadused ja tehnika4.12. Protsessitehnoloogia ja materjaliteadusT150 Materjalitehnoloogia2.3. Teised tehnika- ja inseneriteadused (keemiatehnika, lennundustehnika, mehaanika, metallurgia, materjaliteadus ning teised seotud erialad: puidutehnoloogia, geodeesia, tööstuskeemia, toiduainete tehnoloogia, süsteemianalüüs, metallurgia, mäendus, tekstiilitehnoloogia ja teised seotud teadused).30,0
AsutusRollPeriood
Tartu Ülikool, Füüsika-keemiateaduskondkoordinaator01.01.2007−31.08.2008
Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskond, Tartu Ülikooli Füüsika Instituutkoordinaator01.01.2010−31.12.2012
Tartu Ülikool, Loodus- ja tehnoloogiateaduskondkoordinaator01.09.2008−31.12.2009
PerioodSumma
01.01.2007−31.12.20071 115 000,00 EEK (71 261,49 EUR)
01.01.2008−31.12.20081 395 000,00 EEK (89 156,75 EUR)
01.01.2009−31.12.20091 272 480,00 EEK (81 326,29 EUR)
01.01.2010−31.12.20101 246 400,00 EEK (79 659,48 EUR)
01.01.2011−31.12.201176 710,00 EUR
01.01.2012−31.12.201280 310,00 EUR
478 424,01 EUR

Uuritakse kilede aatomkihtsadestusmehhanisme ja kvaliteedi sõltuvust aluspinna struktuurist, topoloogiast ning keemilisest aktiivsusest. Kiled sadestatakse kaasaegses ja uue põlvkonna kiipide tehnoloogias kasutatavatele kõrgtehnoloogilistele planaarsetele pindadele või kolmedimensionaalsetele nanostruktuuridele. Uuritakse adsorptsiooniprotsessi ja lähteainemolekulide varieeruva nakkumisvõime mõju pinnakaetuse ühtlusele, tahkiskihi kristallilisusele, mahtuvuse ja juhtivuse stabiilsusele. Samuti uuritakse materjali füüsikaliste omaduste sõltuvust lähteainekeemia valikust. Tahkisobjektide spektroskoopiline analüüs keskendub võredefektide formeerumise ja relaksatsiooni protsessidele ning defektide rollile kilede korrastatuses ja termilises stabiilsuses. Kasutatakse mitmesuguseid optilisi, magnetilisi ja dielektrilisi meetodeid laias temperatuurivahemikus, et paremini korreleerida kilestruktuuride omadusi tekkeprotsessi tingimustega.
Mechanisms of atomic layer deposition of thin films will be studied, together with the dependence of film quality on the substrate structure, topology and chemical activity. The films will be deposited onto planar or three-dimensional nanostructured surfaces, relevant to the contemporary and next generation chip technology. Influence of adsorption process of precursors on the surface coverage, film crystallinity and dielectric stability will be investigated. Physical properties of materials will be correlated to the precursor chemistry used. Spectroscopic analysis of solid samples is focused to the formation and decay of lattice defects and their influence to the structural disorder and thermal stability of the films. Various optical, magnetic, and dielectric techniques will be applied in a wide temperature range, correlating the performance of thin films to process conditions.