"Muu" projekt B24
B24 "Keemilistel meetoditel kasvatatud metalli oksiidide õhukesed kiled elektroonikaseadistele (1.01.2013−31.12.2015)", Ilona Oja Açik, Tallinna Tehnikaülikool, Tallinna Tehnikaülikool, Keemia ja materjalitehnoloogia teaduskond, Materjaliteaduse instituut, Keemiliste kiletehnoloogiate teaduslaboratoorium .
B24
Keemilistel meetoditel kasvatatud metalli oksiidide õhukesed kiled elektroonikaseadistele
Metal oxide thin films by wet chemical methods for electronic devices
Keemilistel meetoditel kasvatatud metalli oksiidide õhukesed kiled elektroonikaseadistele
1.01.2013
31.12.2015
Teadus- ja arendusprojekt
Muu
ETIS klassifikaatorAlamvaldkondCERCS klassifikaatorFrascati Manual’i klassifikaatorProtsent
4. Loodusteadused ja tehnika4.12. Protsessitehnoloogia ja materjaliteadusT150 Materjalitehnoloogia2.3. Teised tehnika- ja inseneriteadused (keemiatehnika, lennundustehnika, mehaanika, metallurgia, materjaliteadus ning teised seotud erialad: puidutehnoloogia, geodeesia, tööstuskeemia, toiduainete tehnoloogia, süsteemianalüüs, metallurgia, mäendus, tekstiilitehnoloogia ja teised seotud teadused).70,0
4. Loodusteadused ja tehnika4.10. FüüsikaP260 Tahke aine: elektrooniline struktuur, elektrilised, magneetilised ja optilised omadused, ülijuhtivus, magnetresonants, spektroskoopia1.2. Füüsikateadused (astronoomia ja kosmoseteadus, füüsika ja teised seotud teadused)30,0
AsutusRiikTüüp
Tallinna Tehnikaülikool
PerioodSumma
01.01.2013−31.12.201560 000,00 EUR
60 000,00 EUR
HTM baasfinantseerimine

Projektist on kavas toetada noorteadlaste uurimistööd ja kraadiõpet. Uurimistöö eesmärgiks on õhukesekileliste transistoride (TFT) jaoks sobivate omadustega ZnO, ZnO:In, TiO2 ja NiO keemiliste sadestustehnoloogiate (pihustuspürolüüs, sool-geel meetod) optimeerimine. Uuritakse ZnO, ZnO:In, TiO2 ja NiO õhukeste kilede morfoloogiat, struktuuri, optilisi ja elektrilisi omadusi sõltuvalt tehnoloogilistest muutujatest. ZnO, ZnO:In, TiO2 ja NiO õhukesi kilesid katsetatakse TFT-des, mis on sadestatud klaas, Si või painduvatele polümeersetele alustele. Neid TFT-sid võib kasutada nt. puutetundlikes ekraanides, kuvarites ja projektorites. Baasfinantseeritava teema avamine annab võimaluse andekatele doktorikraadi kaitsnud noorteadlastele jätkata oma karjääri teaduses.
Grant-in-aid is provided to support the research work of young researchers and degree studies. The aim of the study is the optimization of technological parameters of wet chemical methods (spray pyrolysis, sol-gel) for device quality metal oxide (ZnO, ZnO:In, TiO2 ja NiO) thin films applicable in thin film transistors (TFTs). The morphology, structural, optical and electrical properties of ZnO, ZnO:In, TiO2 and NiO will be characterized. ZnO, ZnO:In, TiO2 and NiO thin films will be tested in TFTs, deposited on glass, Si or flexible polymeric substrate. These TFTs could find application in touch screens, displays and projectors. The project gives opportunity for your researchers to continue their research work.
KirjeldusProtsent
Alusuuring100,0