Degradation of 600-V 4H-SiC Schottky Diodes under Irradiation with 0.9 Mev Electrons

A.A.Lebedev, K.S.Davydovskaya, V.V.Kozlovski, O.Korolkov, N.Sleptsuk, J.Toompuu (2017). Degradation of 600-V 4H-SiC Schottky Diodes under Irradiation with 0.9 Mev Electrons. Materials Science Forum , 897, 447−450.10.4028/www.scientific.net/MSF.897.447.
ajakirjaartikkel
A.A.Lebedev, K.S.Davydovskaya, V.V.Kozlovski, O.Korolkov, N.Sleptsuk, J.Toompuu
  • Inglise
Materials Science Forum
897
2017
447450
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
WOS

Viited terviktekstile

doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.897.447

Seotud asutused

Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia St. Petersburg State Polytechnic University, St. Petersburg, Russia