See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Properties of hafnium oxide films grown by atomic layer deposition from hafnium tetraiodide and oxygen

Kukli, K.; Ritala, M.; Sundqvist, J.; Aarik, J.; Lu, J.; Sajavaara, T.; Leskela, M.; Harsta, A. (2002). Properties of hafnium oxide films grown by atomic layer deposition from hafnium tetraiodide and oxygen. Journal of Applied Physics, 92 (10), 5698−5703.
ajakirjaartikkel
Kukli, K.; Ritala, M.; Sundqvist, J.; Aarik, J.; Lu, J.; Sajavaara, T.; Leskela, M.; Harsta, A.
  • Inglise
Journal of Applied Physics
Amer Inst Physics
0021-8979
92
10
2002
56985703
6
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
WOS

Viited terviktekstile