Atomic layer deposition of high-permittivity TiO2 dielectrics with low leakage current on RuO2 in TiCl4-based processes

Aarik, Jaan; Hudec, Boris; Hus'ekova, Kristina; Rammula, Raul; Kasikov, Aarne, Arroval, Tõnis; Uustare, Teet; Fröhlich, Karol (2012). Atomic layer deposition of high-permittivity TiO2 dielectrics with low leakage current on RuO2 in TiCl4-based processes. Semiconductor Science and Technology, 27 (7), 074007−(6).10.1088/0268-1242/27/7/074007.
ajakirjaartikkel
Aarik, Jaan; Hudec, Boris; Hus'ekova, Kristina; Rammula, Raul; Kasikov, Aarne, Arroval, Tõnis; Uustare, Teet; Fröhlich, Karol
  • Inglise
Kõrge läbitavusega madala lekkevooluga TiO2 dielektriku aatomkihtsadestamine RuO2-le TiCl4 põhinevates protsessides
Semiconductor Science and Technology
27
7
2012
074007(6)
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
WOS

Viited terviktekstile

dx.doi.org/10.1088/0268-1242/27/7/074007