See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Design Considerations for a Self-Powered Gate Driver for Normally-ON SiC Junction Field-Effect Transistors

Peftitsis, D.; Rabkowski, J.; Nee, H.-P. (2013). Design Considerations for a Self-Powered Gate Driver for Normally-ON SiC Junction Field-Effect Transistors. Energy Conversion Congress and Exposition Asia 2013 - ECCE Asia 2013. IEEE, 251−257. DOI: 10.1109/ECCE-Asia.2013.6579105.
publitseeritud konverentsiettekanne
Peftitsis, D.; Rabkowski, J.; Nee, H.-P.
  • Inglise
Energy Conversion Congress and Exposition Asia 2013 - ECCE Asia 2013
IEEE
2013
251257
Ilmunud
3.1. Artiklid/peatükid lisas loetletud kirjastuste välja antud kogumikes (kaasa arvatud Web of Science Book Citation Index, Web of Science Conference Proceedings Citation Index, Scopus refereeritud kogumikud)
Jah
roheline

Viited terviktekstile

doi.org/10.1109/ECCE-Asia.2013.6579105

Seotud asutused

Lisainfo

http://kth.diva-portal.org/smash/get/diva2:660452/FULLTEXT01