See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Investigation of Deep Level Centers in i- and n-Layers of GaAs pin-Diodes

Toompuu, J.; Korolkov, O.; Sleptsuk, N.; Rang, T. (2014). Investigation of Deep Level Centers in i- and n-Layers of GaAs pin-Diodes. Proceedings of the 14th Biennial Baltic Electronics Conference: BEC2014 2014 14th Biennial Baltic Electronics Conference. Ed. Toomas Rang, Peeter Ellervee. Tallinn: IEEE, 25−28.
publitseeritud konverentsiettekanne
Toompuu, J.; Korolkov, O.; Sleptsuk, N.; Rang, T.
  • Inglise
Proceedings of the 14th Biennial Baltic Electronics Conference
Toomas Rang, Peeter Ellervee
BEC2014 2014 14th Biennial Baltic Electronics Conference
Tallinn
IEEE
1736-3705
978-9949-23-672-5
2014
2528
Ilmunud
3.1. Artiklid/peatükid lisas loetletud kirjastuste välja antud kogumikes (kaasa arvatud Web of Science Book Citation Index, Web of Science Conference Proceedings Citation Index, Scopus refereeritud kogumikud)
Teadmata

Viited terviktekstile