See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Leakage Currents in 4H-SiC JBS Diodes

Ivanov, P.; Grekhov, I.; Potapov, A.; Kon'kov, O.; Il'inskaya, N.; Samsonova, T.; Korolkov, O.; Sleptsuk, N. (2012). Leakage Currents in 4H-SiC JBS Diodes. Semiconductors, 46 (3), 411−415. DOI: 10.1134/S106378261203013X.
artikkel ajakirjas
Ivanov, P.; Grekhov, I.; Potapov, A.; Kon'kov, O.; Il'inskaya, N.; Samsonova, T.; Korolkov, O.; Sleptsuk, N.
  • Inglise
Semiconductors
1063-7826
46
3
2012
411415
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index, Emerging Sources Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
Ei
WOS

Viited terviktekstile

doi.org/10.1134/S106378261203013X