Fabrication of a SiC Double Gate Vertical Channel JFET and It's Application in Power Electronics

Schöner, A.; Bakowski, M.; Malhan, R.K.; Takeuchi, Y.; Sugiyama, N.; Rabkowski, J.; Peftitsis, D.; Ranstad, P.; Nee, H.-P. (2013). Fabrication of a SiC Double Gate Vertical Channel JFET and It's Application in Power Electronics. Electrochemical Society Transactions, 50 (3), 45−52.10.1149/05003.0045ecst.
ajakirjaartikkel
Schöner, A.; Bakowski, M.; Malhan, R.K.; Takeuchi, Y.; Sugiyama, N.; Rabkowski, J.; Peftitsis, D.; Ranstad, P.; Nee, H.-P.
  • Inglise
Electrochemical Society Transactions
50
3
2013
4552
Ilmunud
1.2. Teadusartiklid teistes rahvusvahelistes teadusajakirjades, millel on registreeritud kood, rahvusvaheline toimetus, rahvusvahelise kolleegiumiga eelretsenseerimine, rahvusvaheline levik ning kättesaadavus ja avatus kaastöödele

Viited terviktekstile

dx.doi.org/10.1149/05003.0045ecst

Seotud asutused

Lisainfo