Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев n-4H-SiC после облучения быстрыми электронами

Kirje

Rang, T.; Toompuu, J.; Слепчук, Н.; Лебедев, A. A.; Козловский, В. B.; Корольков, O. M. (2019). Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев n-4H-SiC после облучения быстрыми электронами. Физика и техника полупроводников (991−994). Российская академия наук. (7). DOI: 10.21883/FTP.2019.07.47879.9089.

Publikatsiooni tüüp

artikkel / peatükk kogumikus

Autorid, kellel on ETISe konto

Autorid

Kui väljale „Autorid, kelle on ETISE konto“ sai lisada ainult neid isikuid, kes on ETISe kasutajad, siis väljale „Autorid“ tuleks sisestada kõigi publikatsiooni autorite nimed formaadis "Perenimi, Eesnimi" või "Perenimi, E.". Mitu nime tuleks eraldada semikooloniga. Nimed tuleks jätta sellisele kujule nagu nad on publikatsiooni originaalis ja seda isegi juhul, kui mõne autori nimi on muutunud (nt abiellumise tõttu). Publikatsioonide otsing otsib nimesid nii väljalt "Autorid, kelle on ETISE konto" kui "Autorid" sisust. Kui seotud isik on toimetaja või koostaja, siis tuleks siia reale sisestada tema nimi ning lisaks ka ttegevuse lühend, nt "Perenimi, Eesnimi (Toim.)"

Rang, T.; Toompuu, J.; Слепчук, Н.; Лебедев, A. A.; Козловский, В. B.; Корольков, O. M.

Keeled

Vene

Pealkiri tõlkes

Välja täitmine on soovitatav juhul, kui publikatsiooni originaalpealkiri ei ole inglise keeles. Tõlge võib vajalikuks osutuda näiteks juhul, kui eesti keelt mittevaldav retsensent vaatab publikatsiooni autori ETISe CV-d.

Low-temperature annealing of lightly doped n-4H-SiC layers after irradiation with fast electrons

Väljaande pealkiri

Физика и техника полупроводников

ISSN

0044-4642

Köide

Välja inglisekeelne vaste on "Volume".

Number

Seeria köide

Ilmumisaasta

2019

Leheküljed

991–994

Staatus

Ilmumas publikatsioonide all peetakse silmas neid, mis on väljaandesse või kogumikku vastu võetud (accepted, in press), ent toimetamise või trükiprotsess on veel pooleli. Ilmumas staatusega publikatsioonide puhul on kohustuslik lisada publikatsiooni andmetesse kas DOI või fail, mis sisaldab toimetaja kinnituskirja publikatsiooni ilmumise kohta.

Ilmunud

Klassifikatsioon

1.2. Teadusartiklid teistes rahvusvahelistes teadusajakirjades, millel on registreeritud kood, rahvusvaheline toimetus, rahvusvahelise kolleegiumiga eelretsenseerimine, rahvusvaheline levik ning kättesaadavus ja avatus kaastöödele

Open Access

Jah

Open Access tüüp

pronks

Viited terviktekstile

Fail

Lisatav fail võib olla kuni 3MB suurune. Suuremaid faile võiks proovida väiksemaks teha mõne veebiprogrammiga (otsisõna: compress pdf).

FTP.pdf

DOI

DOI, s.o rahvusvaheline digitaalse objekti identifikaator, mis peaks olema kas formaadis "http://dx.doi.org/10.0004545" või "http://doi.org/10.0004545". Välja täitmine on väga soovitatav, sest see loob lingi publikatsiooni orignaaltekstile. DOI-linki kuvatakse ka ETISe publikatsiooni lühikirjes.

doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47879.9089

Seotud asutused

Asutused

Tallinna Tehnikaülikool, Infotehnoloogia teaduskond, Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut

Lisainfo

Projektid

Tervikteksti asukoht

https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/47879

Loobu

Eesti Teadusinfosüsteem

Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев n-4H-SiC после облучения быстрыми электронами

Viited terviktekstile

Seotud asutused

Lisainfo