Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев n-4H-SiC после облучения быстрыми электронами

Rang, T.; Toompuu, J.; Слепчук, Н.; Лебедев, A. A.; Козловский, В. B.; Корольков, O. M. (2019). Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев n-4H-SiC после облучения быстрыми электронами. Физика и техника полупроводников (991−994). Российская академия наук. (7).10.21883/FTP.2019.07.47879.9089.
kogumikuartikkel/peatükk raamatus/kogumikus
Rang, T.; Toompuu, J.; Слепчук, Н.; Лебедев, A. A.; Козловский, В. B.; Корольков, O. M.
  • Vene
Low-temperature annealing of lightly doped n-4H-SiC layers after irradiation with fast electrons
Физика и техника полупроводников
Журнал Технической Физики
0044-4642
53
7
7
2019
991994
Ilmunud
1.2. Teadusartiklid teistes rahvusvahelistes teadusajakirjades, millel on registreeritud kood, rahvusvaheline toimetus, rahvusvahelise kolleegiumiga eelretsenseerimine, rahvusvaheline levik ning kättesaadavus ja avatus kaastöödele

Viited terviktekstile

doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47879.9089