Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев n-4H-SiC после облучения быстрыми электронами
Rang, T.; Toompuu, J.; Слепчук, Н.; Лебедев, A. A.; Козловский, В. B.; Корольков, O. M. (2019). Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев n-4H-SiC после облучения быстрыми электронами. Физика и техника полупроводников (991−994). Российская академия наук. (7).10.21883/FTP.2019.07.47879.9089.
kogumikuartikkel/peatükk raamatus/kogumikus
Rang, T.; Toompuu, J.; Слепчук, Н.; Лебедев, A. A.; Козловский, В. B.; Корольков, O. M.
- Vene
Low-temperature annealing of lightly doped n-4H-SiC layers after irradiation with fast electrons
Физика и техника полупроводников
Журнал Технической Физики
0044-4642
53
7
7
2019
991–994
Ilmunud
1.2. Teadusartiklid teistes rahvusvahelistes teadusajakirjades, millel on registreeritud kood, rahvusvaheline toimetus, rahvusvahelise kolleegiumiga eelretsenseerimine, rahvusvaheline levik ning kättesaadavus ja avatus kaastöödele
Viited terviktekstile
Seotud asutused
Lisainfo
- IUT19-11 "Impedants-spektroskoopia põhine objektide identifitseerimine ja juhtimine: signaalid, algoritmid, energiasäästlikud lahendused (1.01.2014−31.12.2019)", Toomas Rang, Tallinna Tehnikaülikool, Infotehnoloogia teaduskond, Tallinna Tehnikaülikool, Infotehnoloogia teaduskond, Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut.
- VFP15051 "Kognitiivne elektroonika - KOEL (1.12.2015−1.12.2019)", Yannick Le Moullec, Toomas Rang, Tallinna Tehnikaülikool, Infotehnoloogia teaduskond, Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut.