See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Gate and Base Drivers for Silicon Carbide Power Transistors: An Overview

Peftitsis, D.; Rabkowski, J. (2016). Gate and Base Drivers for Silicon Carbide Power Transistors: An Overview. IEEE Transactions on Power Electronics, 31 (10), 7194−7213. DOI: 10.1109/TPEL.2015.2510425.
artikkel ajakirjas
Peftitsis, D.; Rabkowski, J.
  • Inglise
IEEE Transactions on Power Electronics
0885-8993
31
10
2016
71947213
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index, Emerging Sources Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
Ei
WOS

Viited terviktekstile

doi.org/10.1109/TPEL.2015.2510425

Seotud asutused

Lisainfo