Gate and Base Drivers for Silicon Carbide Power Transistors: An Overview

Peftitsis, D.; Rabkowski, J. (2016). Gate and Base Drivers for Silicon Carbide Power Transistors: An Overview. IEEE Transactions on Power Electronics, 31 (10), 7194−7213.10.1109/TPEL.2015.2510425.
ajakirjaartikkel
Peftitsis, D.; Rabkowski, J.
  • Inglise
IEEE Transactions on Power Electronics
0885-8993
31
10
2016
71947213
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
WOS

Viited terviktekstile

dx.doi.org/10.1109/TPEL.2015.2510425

Seotud asutused

Lisainfo