Discretized Proportional Base Driver for Silicon Carbide Bipolar Junction Transistors

Tolstoy, G.; Peftitsis, D.; Rabkowski, J.; Nee, H.-P.; Palmer, P.R. (2014). Discretized Proportional Base Driver for Silicon Carbide Bipolar Junction Transistors. IEEE Transactions on Power Electronics, 29 (5), 2408 −2417 .10.1109/TPEL.2013.2274331.
ajakirjaartikkel
Tolstoy, G.; Peftitsis, D.; Rabkowski, J.; Nee, H.-P.; Palmer, P.R.
  • Inglise
IEEE Transactions on Power Electronics
0885-8993
29
5
2014
2408 2417
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
WOS

Viited terviktekstile

dx.doi.org/10.1109/TPEL.2013.2274331

Seotud asutused

Lisainfo