See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Atomic Layer Deposition of Nickel Nitride Thin Films using NiCl2(TMPDA) and Tert-Butylhydrazine as Precursors

Vayrynen, Katja; Hatanpaa, Timo; Mattinen, Miika; Heikkila, Mikko J.; Mizohata, Kenichiro; Raisanen, Jyrki; Link, Joosep; Stern, Raivo; Ritala, Mikko; Leskela, Markku (2019). Atomic Layer Deposition of Nickel Nitride Thin Films using NiCl2(TMPDA) and Tert-Butylhydrazine as Precursors. Physica Status Solidi A-applications and Materials Science, 216 (11), ARTN 1900058.10.1002/pssa.201900058.
ajakirjaartikkel
Vayrynen, Katja; Hatanpaa, Timo; Mattinen, Miika; Heikkila, Mikko J.; Mizohata, Kenichiro; Raisanen, Jyrki; Link, Joosep; Stern, Raivo; Ritala, Mikko; Leskela, Markku
  • Inglise
Physica Status Solidi A-applications and Materials Science
WEINHEIM
1862-6300
216
11
216
2019
ARTN 1900058
9
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
WOS

Viited terviktekstile

dx.doi.org/10.1002/pssa.201900058

Seotud asutused

Department of Chemistry, University of Helsinki, P.O. Box 55, FI‐00014 Helsinki, Finland; Department of Physics, University of Helsinki, P.O. Box 64, FI‐00014 Helsinki, Finland; National Institute of Chemical Physics and Biophysics, Akadeemia tee 23, 12618 Tallinn, Estonia;