Analysis and experimental verification of the influence of fabrication process tolerances and circuit parasitics on transient current sharing of parallel-connected SiC JFETs

Kirje

Lim, J.-K.; Peftitsis, D.; Rabkowski, J.; Bakowski, M.; Nee, H.P. (2014). Analysis and experimental verification of the influence of fabrication process tolerances and circuit parasitics on transient current sharing of parallel-connected SiC JFETs. IEEE Transactions on Power Electronics, 29 (5), 2180−2191. DOI: 10.1109/TPEL.2013.2281084.

Publikatsiooni tüüp

artikkel ajakirjas

Autorid, kellel on ETISe konto

Jacek Rabkowski (Autor)

Autorid

Kui väljale „Autorid, kelle on ETISE konto“ sai lisada ainult neid isikuid, kes on ETISe kasutajad, siis väljale „Autorid“ tuleks sisestada kõigi publikatsiooni autorite nimed formaadis "Perenimi, Eesnimi" või "Perenimi, E.". Mitu nime tuleks eraldada semikooloniga. Nimed tuleks jätta sellisele kujule nagu nad on publikatsiooni originaalis ja seda isegi juhul, kui mõne autori nimi on muutunud (nt abiellumise tõttu). Publikatsioonide otsing otsib nimesid nii väljalt "Autorid, kelle on ETISE konto" kui "Autorid" sisust. Kui seotud isik on toimetaja või koostaja, siis tuleks siia reale sisestada tema nimi ning lisaks ka ttegevuse lühend, nt "Perenimi, Eesnimi (Toim.)"

Lim, J.-K.; Peftitsis, D.; Rabkowski, J.; Bakowski, M.; Nee, H.P.

Keeled

Inglise

Pealkiri tõlkes

Välja täitmine on soovitatav juhul, kui publikatsiooni originaalpealkiri ei ole inglise keeles. Tõlge võib vajalikuks osutuda näiteks juhul, kui eesti keelt mittevaldav retsensent vaatab publikatsiooni autori ETISe CV-d.

Analysis and experimental verification of the influence of fabrication process tolerances and circuit parasitics on transient current sharing of parallel-connected SiC JFETs

Ajakiri / jätkuväljaanne

IEEE Transactions on Power Electronics

ISSN

0885-8993

Köide

Välja inglisekeelne vaste on "Volume".

Number

Ilmumisaasta

2014

Leheküljed

2180–2191

Staatus

Ilmumas publikatsioonide all peetakse silmas neid, mis on väljaandesse või kogumikku vastu võetud (accepted, in press), ent toimetamise või trükiprotsess on veel pooleli. Ilmumas staatusega publikatsioonide puhul on kohustuslik lisada publikatsiooni andmetesse kas DOI või fail, mis sisaldab toimetaja kinnituskirja publikatsiooni ilmumise kohta.

Ilmunud

Klassifikatsioon

1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index, Emerging Sources Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)

Open Access

Klassifikatsiooni täpsustus

WOS

Viited terviktekstile

DOI

DOI, s.o rahvusvaheline digitaalse objekti identifikaator, mis peaks olema kas formaadis "http://dx.doi.org/10.0004545" või "http://doi.org/10.0004545". Välja täitmine on väga soovitatav, sest see loob lingi publikatsiooni orignaaltekstile. DOI-linki kuvatakse ka ETISe publikatsiooni lühikirjes.

doi.org/10.1109/TPEL.2013.2281084

Seotud asutused

Lisainfo

Loobu

Eesti Teadusinfosüsteem

Analysis and experimental verification of the influence of fabrication process tolerances and circuit parasitics on transient current sharing of parallel-connected SiC JFETs

Viited terviktekstile

Seotud asutused

Lisainfo