Effect of selected atomic layer deposition parameters on the structure and dielectric properties of hafnium oxide films

Kukli, K.; Aarik, J.; Ritala, M.; Uustare, T.; Sajavaara, T.; Lu, J.; Sundqvist, J.; Aidla, A.; Pung, L.; Harsta, A.; Leskela, M. (2004). Effect of selected atomic layer deposition parameters on the structure and dielectric properties of hafnium oxide films. Journal of Applied Physics, 96 (9), 5298−5307.
ajakirjaartikkel
Kukli, K.; Aarik, J.; Ritala, M.; Uustare, T.; Sajavaara, T.; Lu, J.; Sundqvist, J.; Aidla, A.; Pung, L.; Harsta, A.; Leskela, M.
  • Inglise
Journal of Applied Physics
Amer Inst Physics
0021-8979
96
9
2004
52985307
10
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
WOS

Viited terviktekstile