See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

The Role of the Parasitic Capacitance of the Inductor in Boost Converters with Normally-On SiC JFETs

Zdanowski, M.; Rabkowski, J.; Kostov, K.; Nee, H.-P. (2012). The Role of the Parasitic Capacitance of the Inductor in Boost Converters with Normally-On SiC JFETs. 3: 7th International Power Electronics and Motion Control Conference (IPEMC). 1842 −1847.
publitseeritud konverentsiettekanne
Zdanowski, M.; Rabkowski, J.; Kostov, K.; Nee, H.-P.
  • Inglise
The Role of the Parasitic Capacitance of the Inductor in Boost Converters with Normally-On SiC JFETs
7th International Power Electronics and Motion Control Conference (IPEMC)
3
2012
1842 1847
Ilmunud
3.1. Artiklid/peatükid lisas loetletud kirjastuste välja antud kogumikes (kaasa arvatud Web of Science Book Citation Index, Web of Science Conference Proceedings Citation Index, Scopus refereeritud kogumikud)
Teadmata

Seotud asutused

Lisainfo