See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Study of surface defects in 4H-SiC Schottky diodes using a scanning Kelvin probe

Mizsei, János; Korolkov, Oleg; Toompuu, Jana; Mikli, Valdek; Rang, Toomas (2013). Study of surface defects in 4H-SiC Schottky diodes using a scanning Kelvin probe. Materials Science Forum , 740-742, 677−680.
ajakirjaartikkel
Mizsei, János; Korolkov, Oleg; Toompuu, Jana; Mikli, Valdek; Rang, Toomas
  • Inglise
Study of surface defects in 4H-SiC Schottky diodes using a scanning Kelvin probe
Materials Science Forum
740-742
2013
677680
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
WOS

Viited terviktekstile