See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Comparison of the power losses in 1700V Si IGBT and SiC MOSFET modules including reverse conduction

Rabkowski, J.; Platek, T. (2015). Comparison of the power losses in 1700V Si IGBT and SiC MOSFET modules including reverse conduction. Proceedings of the 17th Conference on Power Electronics and Applications (EPE’15-ECCE Europe). Geneva , Switzerland: IEEE, P.1−P.10.
publitseeritud konverentsiettekanne
Rabkowski, J.; Platek, T.
  • Inglise
Proceedings of the 17th Conference on Power Electronics and Applications (EPE’15-ECCE Europe)
Geneva , Switzerland
IEEE
9789075815238
2015
P.1P.10
Ilmunud
3.1. Artiklid/peatükid lisas loetletud kirjastuste välja antud kogumikes (kaasa arvatud Web of Science Book Citation Index, Web of Science Conference Proceedings Citation Index, Scopus refereeritud kogumikud)
Teadmata

Viited terviktekstile

Lisainfo