See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Raman scattering characterization of ion-beam synthesized Mg2Si, 1 Influence of the technological conditions on the formation of the Mg2Si in(100) Si matrix

Atanassov, A.; Zlateva, G.; Baleva, M.; Goranova, E.; Amov, B.; Angelov, C.; Mikli, V (2006). Raman scattering characterization of ion-beam synthesized Mg2Si, 1 Influence of the technological conditions on the formation of the Mg2Si in(100) Si matrix. Plasma Processes and Polymers, 3 (2), 219−223.
ajakirjaartikkel
Atanassov, A.; Zlateva, G.; Baleva, M.; Goranova, E.; Amov, B.; Angelov, C.; Mikli, V
  • Inglise
Plasma Processes and Polymers
Weinheim
Wiley-V C H Verlag Gmbh
1612-8850
3
2
2006
219223
5
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
WOS

Viited terviktekstile