See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Self-Powered Gate Driver for Normally-ON Silicon Carbide Junction Field-Effect Transistors Without External Power Supply

Peftitsis, D.; Rabkowski, J.; Nee, H.-P. (2013). Self-Powered Gate Driver for Normally-ON Silicon Carbide Junction Field-Effect Transistors Without External Power Supply. IEEE Transactions on Power Electronics, 28 (3), 1488−1501.
ajakirjaartikkel
Peftitsis, D.; Rabkowski, J.; Nee, H.-P.
Self-Powered Gate Driver for Normally-ON Silicon Carbide Junction Field-Effect Transistors Without External Power Supply
IEEE Transactions on Power Electronics
0885-8993
28
3
2013
14881501
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index, Emerging Sources Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
Teadmata
WOS

Viited terviktekstile

Seotud asutused

Lisainfo