See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Lensless metrology for semiconductor lithography at EUV

Mochi, I.; Kazazis, D.; Tseng, L.T.; Fernandez, S.; Rajeev, R.; Locans, U.; Dejkameh, A.; Nebling, R.; Yasin, E. (2019). Lensless metrology for semiconductor lithography at EUV. Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 11057. SPIE. DOI: 10.1117/12.2534350.
publitseeritud konverentsiettekanne
Mochi, I.; Kazazis, D.; Tseng, L.T.; Fernandez, S.; Rajeev, R.; Locans, U.; Dejkameh, A.; Nebling, R.; Yasin, E.
  • Inglise
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
0277-786X
9781510627932
11057
2019
Ilmunud
3.1. Artiklid/peatükid lisas loetletud kirjastuste välja antud kogumikes (kaasa arvatud Web of Science Book Citation Index, Web of Science Conference Proceedings Citation Index, Scopus refereeritud kogumikud)
Jah
roheline

Viited terviktekstile

dx.doi.org/10.1117/12.2534350

Seotud asutused

Paul Scherrer Institut

Lisainfo

Conference Paper
Defect inspection | Extreme ultra violet | Lensless imaging | Semiconductor lithography
https://www.dora.lib4ri.ch/psi/islandora/object/psi%3A25434/datastream/PDF/Mochi-2019-Lensless_metrology_for_semiconductor_lithography-%28published_version%29.pdf