Исследование p-n-переходов на основе 4H-SiC, изготовленных имплантацией бора, методом нестационарной емкостной спектроскопии

Ivanov, Pavel; Potapov, Alexander; Samsonova, Tatyana; Korol'kov, Oleg; Sleptsuk, Natalja (2011). Исследование p-n-переходов на основе 4H-SiC, изготовленных имплантацией бора, методом нестационарной емкостной спектроскопии. Физика и техника полупроводников (1358−1362).. Российская академия наук. (10).
kogumikuartikkel/peatükk raamatus/kogumikus
Ivanov, Pavel; Potapov, Alexander; Samsonova, Tatyana; Korol'kov, Oleg; Sleptsuk, Natalja
  • Vene
A DLTS study of 4H-SiC-based p-n junctions fabricated by boron implantation
Физика и техника полупроводников
Российская академия наук
45
10
2011
13581362
Ilmunud
1.2. Teadusartiklid teistes rahvusvahelistes teadusajakirjades, millel on registreeritud kood, rahvusvaheline toimetus, rahvusvahelise kolleegiumiga eelretsenseerimine, rahvusvaheline levik ning kättesaadavus ja avatus kaastöödele

Viited terviktekstile