Токи утечки в 4H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки (p−n- структурой)

Ivanov, Pavel; Grekhov, Ilya; Potapov, Alexander; Kon’kov, O.; Il’inskaya, N.; Samsonova, Tatyana; Korolkov, Oleg; Sleptsuk, Natalja (2012). Токи утечки в 4H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки (p−n- структурой). Физика и техника полупроводников (411−415).. Российская академия наук. (3).
kogumikuartikkel/peatükk raamatus/kogumikus
Ivanov, Pavel; Grekhov, Ilya; Potapov, Alexander; Kon’kov, O.; Il’inskaya, N.; Samsonova, Tatyana; Korolkov, Oleg; Sleptsuk, Natalja
  • Vene
Leakage currents in 4H-SiC based JBS-diodes
Физика и техника полупроводников
Российская академия наук
46
3
2012
411415
Ilmunud
1.2. Teadusartiklid teistes rahvusvahelistes teadusajakirjades, millel on registreeritud kood, rahvusvaheline toimetus, rahvusvahelise kolleegiumiga eelretsenseerimine, rahvusvaheline levik ning kättesaadavus ja avatus kaastöödele

Viited terviktekstile