See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Analysis of peak current for current crowding effect in 4H- and 6H- SiC Schottky structures

Kurel, R.; Rang, T. (2000). Analysis of peak current for current crowding effect in 4H- and 6H- SiC Schottky structures. Proc. BEC2000: Oct. 8-11, Tallinn, Estonia. , 235−236.
publitseeritud konverentsiettekanne
Kurel, R.; Rang, T.
Proc. BEC2000
Oct. 8-11, Tallinn, Estonia
2000
235236
Ilmunud
3.4. Artiklid/ettekanded, mis on avaldatud valdkonda 3.1. mittekuuluvates konverentsikogumikes
Teadmata

Viited terviktekstile

Lisainfo

INSPEC