ETIS - Strain relaxation mechanism in the Si-SiO2 system and its influence on the interface properties

Kirje

Kropman, D.; Mellikov, E.; Öpik, A.; Lott, K.; Volobueva, O.; Kärner, T.; Heinmaa, I.; Laas, T.; Medvid, A. (2009). Strain relaxation mechanism in the Si-SiO2 system and its influence on the interface properties. Physica B: Condensed Matter, 404, 5153−5155.

Publikatsiooni tüüp

ajakirjaartikkel

Autorid, kellel on ETISe konto

Autorid

Kui väljale „Autorid, kelle on ETISE konto“ sai lisada ainult neid isikuid, kes on ETISe kasutajad, siis väljale „Autorid“ tuleks sisestada kõigi publikatsiooni autorite nimed formaadis "Perenimi, Eesnimi" või "Perenimi, E.". Mitu nime tuleks eraldada semikooloniga. Nimed tuleks jätta sellisele kujule nagu nad on publikatsiooni originaalis ja seda isegi juhul, kui mõne autori nimi on muutunud (nt abiellumise tõttu). Publikatsioonide otsing otsib nimesid nii väljalt "Autorid, kelle on ETISE konto" kui "Autorid" sisust. Kui seotud isik on toimetaja või koostaja, siis tuleks siia reale sisestada tema nimi ning lisaks ka ttegevuse lühend, nt "Perenimi, Eesnimi (Toim.)"

Kropman, D.; Mellikov, E.; Öpik, A.; Lott, K.; Volobueva, O.; Kärner, T.; Heinmaa, I.; Laas, T.; Medvid, A.

Keeled

Inglise

Ajakiri / jätkuväljaanne

Physica B: Condensed Matter

ISSN

0921-4526

Number

404

Leheküljed

5153–5155

Staatus

Ilmumas publikatsioonide all peetakse silmas neid, mis on väljaandesse või kogumikku vastu võetud (accepted, in press), ent toimetamise või trükiprotsess on veel pooleli. Ilmumas staatusega publikatsioonide puhul on kohustuslik lisada publikatsiooni andmetesse kas DOI või fail, mis sisaldab toimetaja kinnituskirja publikatsiooni ilmumise kohta.

Ilmunud

Klassifikatsioon

1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)

Klassifikatsiooni täpsustus

WOS

Eesti Teadusinfosüsteem

Strain relaxation mechanism in the Si-SiO2 system and its influence on the interface properties

Viited terviktekstile

Seotud asutused

Lisainfo