Strain relaxation mechanism in the Si-SiO2 system and its influence on the interface properties

Kropman, D.; Mellikov, E.; Öpik, A.; Lott, K.; Volobueva, O.; Kärner, T.; Heinmaa, I.; Laas, T.; Medvid, A. (2009). Strain relaxation mechanism in the Si-SiO2 system and its influence on the interface properties. Physica B: Condensed Matter, 404, 5153−5155.
ajakirjaartikkel
Kropman, D.; Mellikov, E.; Öpik, A.; Lott, K.; Volobueva, O.; Kärner, T.; Heinmaa, I.; Laas, T.; Medvid, A.
  • Inglise
Physica B: Condensed Matter
0921-4526
404
2009
51535155
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
WOS

Viited terviktekstile