See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Experimental evaluation of GaN Gate Injection Transistors

Rabkowski, J.; Barlik, R. (2015). Experimental evaluation of GaN Gate Injection Transistors. Przegląd Elektrotechniczny / Electrical Review, 91 (3), 9−12. DOI: 10.15199/48.2015.03.03.
artikkel ajakirjas
Rabkowski, J.; Barlik, R.
  • Inglise
Przegląd Elektrotechniczny / Electrical Review
0033-2097
91
3
2015
912
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index, Emerging Sources Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
Jah
roheline
SCOPUS

Viited terviktekstile

doi.org/10.15199/48.2015.03.03

Lisainfo

http://pdfs.semanticscholar.org/a476/094d05db7cd22dd89daa6337c8a6bcfa21cd.pdf