See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Study of ion implanted Fe depth distribution in Si after pulsed ion beam treatment

Angelov, C., Georgiew, S., Amov, B., Goranova, E., Mikli, V., Dezsi, I., Kotai, E (2007). Study of ion implanted Fe depth distribution in Si after pulsed ion beam treatment. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 9 (2), 307−310.
ajakirjaartikkel
Angelov, C., Georgiew, S., Amov, B., Goranova, E., Mikli, V., Dezsi, I., Kotai, E
  • Inglise
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials
1454-4164
9
2
2007
307310
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
WOS

Viited terviktekstile

Lisainfo

Fe implantation, pulsed ion-beam treatment, impurity distribution